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本发明公开了一种用于形成硬掩膜层的方法，包括：提供衬底，在所述衬底上预先形成有具有图案的牺牲层；在所述衬底的表面以及所述牺牲层的表面和侧壁上形成第一硬掩膜材料层；执行回蚀刻，以在所述牺牲层的侧壁上形成由所述第一硬掩膜材料层构成的间隙壁；去除...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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