实现自对准型双重图形的方法技术

一种实现自对准型双重图形的方法，包括：提供半导体基底；在半导体基底上从下至上依次形成第一介质层、第二介质层、硬掩膜层和具有第一间距的光刻胶线条；利用光刻胶线条作为掩模刻蚀所述硬掩膜层，在硬掩膜层上形成若干硬掩膜层线条；利用硬掩膜层线条作为掩模，周期性交替着对第二介质层进行n次刻蚀和n次沉积，以在第二介质层中形成开口和位于开口两侧的侧墙，侧墙包括n层台阶状排布的子侧墙；去除硬掩膜层线条；利用侧墙作为掩模刻蚀第二介质层，利用第二介质层作为掩模刻蚀第一介质层，在第一介质层中形成具有第二间距的线条。本发明专利技术通过周期性交替进行刻蚀和沉积，精确的控制侧墙的宽度，从而能够精确的控制最终形成微小尺寸图形的线宽。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制作工艺，尤其涉及一种。
技术介绍
为了在芯片上集成数目更多、尺寸更小的晶体管，必须开发出新的光刻技术以不断地缩减晶体管尺寸。其中，一个主要的发展方向是通过双重图形技术来改进两个相邻半导体图形之间的最小间距(pitch)或者最小线宽。就目前的发展来看，实现双重图形的方法大致分为三类:自对准型双重图形技术(SADP)、双重图形刻蚀技术(DEDP)和双重图形曝光技术(LLE)。自对准型双重图形技术(SADP)可以形成线宽和间距均很小的高密度平行线条。具体方法为，首先用光刻、刻蚀形成线条，然后在每个线条的侧边形成间隔层，去除最初的线条，以间隔层作为掩模进行刻蚀，就能有效实现线条密度的加倍。根据具体工艺流程，可以使用间隔层在正胶模式下获得具有可变间距的线条尺寸，或者在负胶模式下获得具有可变隔离(线条)宽度的槽结构尺寸。双重图形刻蚀技术(LELE)为采用曝光-刻蚀-曝光-刻蚀的方法，其原理是将初始的设计的图形分成两组相重叠的亚设计，将两者分两次曝光刻蚀，这样就可以重构出初始的设计的图形。双重图形曝光技术(LLE)是米用曝光-曝光-刻蚀的流程。该流程也需要两块掩膜和本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种实现自对准型双重图形的方法，其特征在于，包括：提供半导体基底；在所述半导体基底上形成第一介质层；在所述第一介质层上形成第二介质层；在所述第二介质层上形成硬掩膜层；在所述硬掩膜层上形成光刻胶；利用光刻在所述光刻胶上形成具有第一间距的光刻胶线条；利用所述光刻胶线条作为掩模刻蚀所述硬掩膜层，在所述硬掩膜层上形成若干硬掩膜层线条；去除光刻胶；利用所述硬掩膜层线条作为掩模，周期性交替着对所述第二介质层进行n次刻蚀和n次沉积，以在所述第二介质层中形成开口和位于开口两侧的侧墙，所述侧墙包括n层台阶状排布的子侧墙，其中n为大于1的自然数；去除所述硬掩膜层线条；利用所述侧墙作为掩模刻蚀所述第二介质层，在所述...

【技术特征摘要】
1.一种实现自对准型双重图形的方法，其特征在于，包括: 提供半导体基底； 在所述半导体基底上形成第一介质层； 在所述第一介质层上形成第二介质层； 在所述第二介质层上形成硬掩膜层； 在所述硬掩膜层上形成光刻胶； 利用光刻在所述光刻胶上形成具有第一间距的光刻胶线条； 利用所述光刻胶线条作为掩模刻蚀所述硬掩膜层，在所述硬掩膜层上形成若干硬掩膜层线条； 去除光刻胶； 利用所述硬掩膜层线条作为掩模，周期性交替着对所述第二介质层进行η次刻蚀和η次沉积，以在所述第二介质层中形成开口和位于开口两侧的侧墙，所述侧墙包括η层台阶状排布的子侧墙，其中η为大于I的自然数； 去除所述硬掩膜层线条； 利用所述侧墙作为掩模刻蚀所述第二介质层，在所述第二介质层中形成具有第二间距的第二介质层线条； 利用所述第二介质层线条作为掩模刻蚀所述第一介质层，在所述第一介质层中形成具有第二间距的线条。2.如权利要求1所述的实现自对准型双重图形的方法，其特征在于，周期性交替进行刻蚀和沉积的方法为在反应腔室中周期性的交替通入刻蚀气体和沉积气体。3.如权利要求1所述的实现自对准型双重图形的方法，其特征在于，进行所述η次刻蚀时的工艺参数为:偏置功率为50(T3000W，源功率为5...

【专利技术属性】
技术研发人员：王新鹏，张海洋，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：