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一种实现自对准型双重图形的方法，包括：提供半导体基底；在半导体基底上从下至上依次形成第一介质层、第二介质层、硬掩膜层和具有第一间距的光刻胶线条；利用光刻胶线条作为掩模刻蚀所述硬掩膜层，在硬掩膜层上形成若干硬掩膜层线条；利用硬掩膜层线条作为掩...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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