具有降低的偏置温度不稳定性(BTI)的器件制造技术

本发明专利技术公开了半导体器件连同用于制造此类器件的方法。在某些实施例中，半导体器件包括使用限制半导体器件在操作期间诸如由偏置温度不稳定性引起的阈值电压偏移的金属形成的源电极。在某些实施例中，半导体器件可基于碳化硅。

【技术实现步骤摘要】
具有降低的偏置温度不稳定性(BTI)的器件
本文公开的主题涉及半导体器件，并且更一般而言涉及提高半导体器件的稳定性。
技术介绍
对于诸如碳化硅(SiC)晶体管的半导体器件，偏置温度不稳定性(BTI)可引起器件性能相当大的变化性。例如，当在持续时间段上操作在诸如负偏置和/或高温的特定条件下时，负偏置温度不稳定性(NBTI)可导致SiC器件的阈值电压显著改变或偏移。认为SiC器件中的NBTI是界面电荷俘获(例如，氧电荷)的结果，例如在持续时间段将器件操作在高温以及在特定偏置条件下时可引起界面电荷俘获。例如，SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)在蒙受由于NBTI引起的组合的电压和温度应力时可经历阈值电压偏移。在某些情况中，前述的NBTI可将SiC器件的阈值电压偏移(例如，减少)到器件可在即使没有施加栅-源电压的情况下变得导电的点，从而将常关器件变换成常开器件。因此，NBTI显著影响SiC器件的可靠性和性能。然而必须确定对SiC器件中的NBTI的工业可接受的解决方案。因此，尤其合乎需要的是减轻SiC器件中的NBTI问题以便利用SiC可对某些系统和应用提供的独特操作特性(本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于制造半导体器件的方法，包括：提供适合于半导体制造的碳化硅晶片；在每个碳化硅晶片上制造一个或多个半导体器件；通过沉积限制所述半导体器件在操作期间的阈值电压偏移的金属来形成每个半导体器件的源电极。

【技术特征摘要】
2012.08.06 US 13/567,7911.一种用于制造半导体器件的方法，包括: 提供适合于半导体制造的碳化硅晶片； 在每个碳化硅晶片上制造一个或多个半导体器件； 通过沉积限制所述半导体器件在操作期间的阈值电压偏移的金属来形成每个半导体器件的源电极。2.如权利要求1所述的方法，其中，所述金属是对氢的扩散势垒。3.如权利要求1所述的方法，其中，所述金属不从水分子中产生在硅石中溶解的原子氢。4.如权利要求1所述的方法，其中，所述半导体器件包括金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。5.如权利要求1所述的方法，其中，所述半导体器件包括绝缘栅双极晶体管(IGBT)、MOS控制晶闸管或栅控制晶闸管。6.如权利要求1所述的方法，其中，所述半导体器件的所述阈值电压偏移起因于在将所述半导体器件操作在高温、高偏置或两者时所述半导体器件中的偏置温度不稳定性(BTI)。7.如权利要求1所述的方法，其中，所述半导体器件...

【专利技术属性】
技术研发人员：JD迈克尔，SD阿瑟，TL约翰逊，DA利利恩菲尔德，
申请(专利权)人：通用电气公司，
类型：发明
国别省市：