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本发明公开了半导体器件连同用于制造此类器件的方法。在某些实施例中，半导体器件包括使用限制半导体器件在操作期间诸如由偏置温度不稳定性引起的阈值电压偏移的金属形成的源电极。在某些实施例中，半导体器件可基于碳化硅。...
该专利属于通用电气公司所有，仅供学习研究参考，未经过通用电气公司授权不得商用。

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