【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种场效应晶体管的制作方法,其特征在于,包括:提供衬底;在所述衬底上形成氧化硅层;在所述氧化硅层表面的部分区域形成源漏端底部接触金属;在所述氧化硅层和所述源漏端底部接触金属上形成石墨烯沟道层;在所述石墨烯沟道层的源漏端底部接触金属所在区域的上方形成源端和漏端;去除位于源端和漏端之间的至少部分的氧化硅层,在石墨烯沟道层下方形成空腔;在源端和漏端之间的所述石墨烯沟道层上形成栅结构。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:张海洋,王新鹏,
申请(专利权)人:中芯国际集成电路制造上海有限公司,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。