芯片封装结构制造技术

一种芯片封装结构包含一芯片。芯片的两侧分别设置复数个第一接垫及复数个第二接垫。该复数个第一接垫对应地电性连接一芯片选择电极、该复数个第二接垫及外露的导体。互相电性连接的第一接垫与第二接垫在垂直方向上并非对齐，且是使用垂直连接件及内导体相连接。芯片包含复数个绝缘层，而内导体为该复数个绝缘层分开在不同高度上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种包含至少一可堆叠芯片的芯片封装。
技术介绍
芯片堆叠技术可让两芯片更为靠近，由此实现两芯片间更快数据传输及消耗较少的能量。记忆芯片可堆叠一起，以获得具有更大储存空间的记忆模块。除堆叠相同的两芯片外，具不同功能的芯片也可堆叠一起，以结合不同功能。在一记忆芯片堆叠中，每个记忆芯片具有一芯片选择电极(chip select (CS)terminal)。芯片选择电极是用于启动记忆芯片。例如，一动态存取记忆体芯片可有列地址选通(row address strobe ；RAS)、行地址选通(column address strobe)或芯片选择接点(chip select pin)作为芯片选择电极。当信号施加在位于记忆芯片堆叠中的芯片的芯片选择电极时，该芯片可存取，而其他芯片则不能。传统上，施加在记忆芯片堆叠中的信号是流经导线(wires)。这些导线需额外的制程来形成，故会增加制作成本。此外，长导线会造成信号延迟，且会占据较多的空间，导致制作出大的记忆芯片堆叠。
技术实现思路
针对上述问题，新的封装芯片被提出。本专利技术一实施例的芯片封装结构包含至少一芯片。至少一芯片包含一基材、一芯片电路、复数个绝缘层、一芯片选择电极、复数个第一导体、复数个第一垂直连接件、复数个第二垂直连接件、一第三垂直连接件、一第四垂直连接件、一第二导体、复数个第一接垫，以及复数个第二接垫。芯片电路形成于基材上。复数个绝缘层形成于基材上。芯片选择电极形成于基材上或在该复数个绝缘层内。芯片选择电极连接芯片电路，以启动该芯片电路。复数个第一导体被该复数个绝缘层分开在不同高度上。复数个第一垂直连接件分别连接该复数个第一导体，并延伸至基材的一表面，其中该表面与该复数个绝缘层是相对的。复数个第二垂直连接件分别连接该复数个第一导体，并延伸至该复数个绝缘层的一表面，其中该复数个绝缘层的表面与基材是相对的。第三垂直连接件电性连接芯片选择电极，并延伸至基材的表面。第四垂直连接件贯穿该复数个绝缘层与基材。第二导体形成于该复数个绝缘层的表面，并连接第四垂直连接件。复数个第一接垫形成于基材的表面，并对应地连接该复数个第一垂直连接件、第三垂直连接件和第四垂直连接件。复数个第二接垫形成于该复数个绝缘层的表面，并对应连接该复数个第二垂直连接件。本专利技术一实施例的芯片封装包含至少一芯片。至少一芯片包含一基材、一芯片电路、复数个绝缘层、一芯片选择电极、复数个第一导体、复数个第一垂直连接件、复数个第二垂直连接件、一第三垂直连接件，以及一第二导体。芯片电路，形成于基材上。复数个绝缘层，形成于基材上。芯片选择电极形成于基材上或在额外的绝缘层内。额外的绝缘层覆盖一电路，该电路形成于基材上并连接芯片电路，以启动该芯片电路。复数个第一导体被该复数个绝缘层分开在不同高度上。复数个第一垂直连接件分别连接该复数个第一导体，并延伸至基材的一表面，其中该表面与该复数个绝缘层是相对的。复数个第二垂直连接件分别连接该复数个第一导体，并延伸至该复数个绝缘层的一表面，其中该复数个绝缘层的表面与基材是相对的。第三垂直连接件电性连接芯片选择电极，并延伸至该复数个绝缘层的表面。第二导体形成于额外的绝缘层的一表面，并连接第三垂直连接件。本专利技术实施例的芯片封装使用垂直连接件及形成在不同高度且连接垂直连接件的导体来启动芯片。因此，信号传输路径短，且制造成本低。【附图说明】图1A为本专利技术一实施例的芯片封装的示意图。图1B为本专利技术一实施例的芯片封装的示意图。图2A为本专利技术另一实施例的芯片封装的示意图。图2B为本专利技术另一实施力的芯片封装的示意图。图3为本专利技术另一实施例的芯片封装的示意图。图4为本专利技术另一实施例的芯片封装的示意图。其中，附图标记说明如下:l、lb、l’、lb’、2、2’ 芯片封装结构ll、llb、ll，、llb，、21、21，芯片12电路板13 凸块14 接垫111 基材112绝缘层113芯片选择电极114 第一导体115第一垂直连接件116第二垂直连接件117第三垂直连接件118第四垂直连接件119 第二导体120第一接垫(或含凸块)121第二接垫(或含凸块)122绝缘垫123第三导体125导电材料、焊料211 基材212绝缘层213芯片选择电极214 第一导体215第一垂直连接件216第二垂直连接件217第三垂直连接件218 第二导体219绝缘垫220第四垂直连接件221第一接垫(或含凸块)222第二接垫(或含凸块)223焊料、铜柱凸块1111 表面1121 表面2111 表面2121 表面【具体实施方式】图1A为本专利技术一实施例的芯片封装结构I的示意图。如图1A所示，芯片封装结构I包含至少一芯片11。在本实施例中，芯片封装结构I包含复数个芯片11。复数个芯片11堆叠在电路板12上，其中电路板12的底面固定有至少复数个焊接凸块13。复数个焊接凸块13对应芯片封装I的芯片11。芯片封装I电性连接位于电路板12的上表面的接垫14，该复数个接垫14连接对应凸块13。当信号施加在一凸块13，一对应的芯片11可被启动。芯片11可为记忆体芯片，例如:动态存取记忆体芯片(DRAM chip)或快闪记忆芯片(flash memory chip)。本质上,记忆体芯片可包含用于定址记忆单元(memory cells)的地址输入端点(address input terminals)、用于传输数据至记忆单元或从记忆单元接受数据的数据输入/输出端点(data input/output temrinals),以及电源供应端点(powersupply terminals)。芯片封装结构I的芯片11的这些端点可被连接。参照图1A所示，每个芯片11包含一基材111、芯片电路、复数个绝缘层112，以及一芯片选择电极113。基材111可用作制造芯片11的基底。芯片电路可形成于基材111上。芯片选择电极113可形成于基材111，并连接芯片电路。芯片选择电极113用于启动芯片电路。复数个绝缘层112分别形成且垂直地堆叠在基材111上。基材111可包含硅或其他适合材料。基材111可为晶圆的部分。复数个绝缘层112可具有相同的厚度或不同的厚度。复数个绝缘层112可用非有机材料(例如:氮化物)或有机材料(例如:聚乙酰胺(polyimide)、氧化物或环氧化合物(epoxy))。绝缘层112可使用其他适合材料。在一实施例中，芯片选择电极113形成于基材111与复数个绝缘层112之间。参照图1A所示，芯片11可包含复数个第一导体114。复数个第一导体114可形成于芯片11内。第一导体114可为接垫(pad)。当前第1页1 2 3 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种芯片封装结构，包含至少一芯片，该至少一芯片包含：一基材；一芯片电路，形成于该基材上；复数个绝缘层，形成于该基材上；一芯片选择电极，形成于该基材上或在该复数个绝缘层内，并连接该芯片电路，以启动该芯片电路；复数个第一导体，被该复数个绝缘层分开在不同高度上；复数个第一垂直连接件，分别连接该复数个第一导体，并延伸至该基材的一表面，其中该表面与该复数个绝缘层是相对的；复数个第二垂直连接件，分别连接该复数个第一导体，并延伸至该复数个绝缘层的一表面，其中该复数个绝缘层的该表面与该基材是相对的；一第三垂直连接件，电性连接该芯片选择电极，并延伸至该基材的该表面；一第四垂直连接件，贯穿该复数个绝缘层与该基材；一第二导体，形成于该复数个绝缘层的该表面，并连接该第四垂直连接件；复数个第一接垫，形成于该基材的该表面，并对应地连接该复数个第一垂直连接件、该第三垂直连接件和该第四垂直连接件；以及复数个第二接垫，形成于该复数个绝缘层的该表面，并对应连接该复数个第二垂直连接件。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：林柏均，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71