半导体装置、半导体封装及其制造方法制造方法及图纸

本公开提供一种半导体装置、半导体封装及其制造方法。在本公开的实施例中，该半导体装置包含一集成电路晶粒；设置于该集成电路晶粒上的至少一导电终端；设置于该集成电路晶粒上的一框架，其中该框架实质暴露该至少一导电终端；以及设置于该框架中的至少一导电凸块，其中该至少一导电凸块电连接该至少一导电终端。

Semiconductor devices, semiconductor packaging and their manufacturing methods

The present disclosure provides a semiconductor device, a semiconductor package and a manufacturing method. In the embodiment of the public, the semiconductor device comprises an integrated circuit die; at least one conductive terminal is arranged on the integrated circuit die; a frame is arranged on the integrated circuit die, wherein the frame material expose the at least one conductive terminal is arranged on the frame; and at least one of the conductive bumps among them, the at least one conductive convex block is electrically connected to the at least one conductive terminal.

【技术实现步骤摘要】
半导体装置、半导体封装及其制造方法
本公开涉及一种具有导电凸块的半导体装置及其制造方法，其中半导体装置具有非常精细的间距(fine-pitch)、高散热特性、低翘曲、以及最小化的凸块工艺应力(bumpingstress)。
技术介绍
集成电路(IC)结构的封装技术持续发展，以符合微小化与安装可信赖度(mountingreliability)的要求。近来，由于电子产品对微小化与高功能需求，此一
已公开各种技术，以因应该等需求。如所周知，半导体晶片在操作时会产生热量。在操作过程中，随着半导体的温度升高与下降，硅与金属或金属物质之间不同的热膨胀系数可在半导体晶片中造成应力，此一现象在半导体晶片操作过程中会显著恶化晶片中硅/金属接合的完整性与可信赖度。当操作温度改变时，个别材料的位移改变；若热膨胀系数差异造成的应力无法释放，则可能造成封装结构的断裂。再者，来自晶片操作的热量通常造成集成电路结构的功能障碍。当晶片温度增加时，其可能相对影响小剖面的接线，因而破坏集成电路结构的正常功能。因此，近年来，随着半导体封装的微小化，集成电路结构中的散热问题已吸引越来越多的关注。一般而言，封装产业中使本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，包括：一集成电路晶粒；至少一导电终端，设置于该集成电路晶粒上；一框架，设置于该集成电路晶粒上，其中该框架实质暴露该至少一导电终端；以及至少一导电凸块，设置于该框架中，其中该至少一导电凸块电连接该至少一导电终端。

【技术特征摘要】
2016.07.18 US 15/212,7181.一种半导体装置，包括：一集成电路晶粒；至少一导电终端，设置于该集成电路晶粒上；一框架，设置于该集成电路晶粒上，其中该框架实质暴露该至少一导电终端；以及至少一导电凸块，设置于该框架中，其中该至少一导电凸块电连接该至少一导电终端。2.如权利要求1所述的半导体装置，其中该框架是一支撑层，包含非导电材料，该非导电材料选自于包括硅与二氧化硅组成的群组。3.如权利要求1所述的半导体装置，其中该框架包括：一支撑层，包含非导电材料，该非导电材料选自于包括硅与二氧化硅组成的群组；以及一中介层，设置于该支撑层与该集成电路晶粒之间。4.如权利要求1所述的半导体装置，还包括至少一导电接头，设置于该至少一导电凸块与该至少一导电终端之间，并且该至少一导电接头与该至少一导电凸块形成至少一导电插塞。5.如权利要求4所述的半导体装置，其中该至少一导电接头与该至少一导电凸块由不同材料制成。6.如权利要求1所述的半导体装置，其中该至少一导电凸块的剖面图具有一实质非球形侧壁。7.如权利要求1所述的半导体装置，其中该至少一导电凸块的剖面图具有一实质垂直侧壁。8.一种半导体封装，包括：一半导体装置，具有至少一导电终端；一框架，设置于该半导体装置上，其中该框架实质暴露该至少一导电终端；至少一导电凸块，设置于该框架中，其中该至少一导电凸块电连接该至少一导电终端；一物件，具有至少一导电垫；以及一粘着层，设置于该半导体装置与该物件之间。9.如权利要求8所述的半导体封装，其中该框架是一支撑层，包含非导电材料，该非导电材料选自于包括硅与二氧化硅组成的群组。10.如权利要求8所述的半导体封装，其中该框架包括：一支撑层，包含非导电材料，该非导电材料选自于包括硅与二氧化硅组成的群组；以及一中介层，设置于该支撑层与该集成电路晶粒之间。11.如权利要求8所述的半导体封装，还包括至少一导电接头，设置于该至少一导电凸块与该至少一导...

【专利技术属性】
技术研发人员：林柏均，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71