存储器数组结构制造技术

本发明专利技术公开了一种存储器数组架构包括多个数组区段及多个间隔单元，每一间隔单元是设置于所述数组区段中的两个数组区段之间，且包括：本地写入装置，以根据接收到的写入启用信号及写入数据信号来提供数据信号，所述数据信号用于对所述数组区段中的数组区段的特定存储器组件进行写入操作；本地传感器，以于接收到启动命令及读取启用信号时输出数据信号；及控制逻辑，以提供所述写入启用信号及所述读取启用信号、提供所述写入数据信号至所述本地写入装置、自所述本地传感器接收所述数据信号，及对接收到的所述数据信号进行放大，以提供读取数据信号至连接至输出数据线。

Memory array structure

The invention discloses a memory array structure includes a plurality of array sections and a plurality of spaced units, each unit interval is between the two array sections arranged on the array section and includes a local recording device to provide data signal according to the received write enable signal and write data signal, the the data signal for a particular component of the memory array section of the array section in the write operation; local sensor, in order to receive command and read the output data signal enable signal; and control logic to provide the write enable signal and the read enable signal, the data signal is written to the local writing device, receives the data signal from the local sensor, amplified and received the data signal, to provide read The data signal is connected to the output data line.

【技术实现步骤摘要】
存储器数组结构
本专利技术涉及一种存储器数组感测放大器(arraysenseamplifier)，尤其是涉及其中的数组连接(arrayinterconnection)以及存储器数组结构，所述存储器数组感测放大器于多个数组区段(arraysection)之间设置有间隔单元(mini-gap)，所述间隔单元是使用作为本地(local)传感器，以于一数字线(digitline)进行侦测并且传递电荷，并且将电荷传给一主要感测放大器或组件。
技术介绍
感测放大器是集成电路(integratedcircuits，IC)中不可或缺的组件，标准的存储器数组结构包括多个互相连接的字线以及数字线。储存装置(诸如电容器)是用来将电荷写入存储器数组的存储器组件中，而存取装置(诸如晶体管)是用来进行写入操作以将电荷存入电容器中，并且进行读取操作以读取电容器中的电荷。为了对一存储器组件写入数据，会先通过一存取装置来启动位于所述存储器组件所在位置的一字线以及数字线，以对所述存储器组件进行隔离。存取装置会开启足够的时间以将特定准位的电荷(例如代表逻辑0或1的电荷)写入储存装置。之后，为了读取储存装置内的数据，存取装本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储器数组结构，其特征在于，包括有：多个数组区段，其中所述数组区段中每一数组区段包括多个存储器组件；多个间隔单元，其中所述间隔单元中每一间隔单元是设置于所述数组区段中的两个数组区段之间且包括有：一本地写入装置，用于根据接收到的一写入启用信号以及一写入数据信号来提供一数据信号，其中所述数据信号用于对所述数组区段中的一数组区段的一特定存储器组件进行写入操作；以及一本地传感器，用于于接收到一启动命令以及一读取启用信号时输出一数据信号；一控制逻辑，用于提供所述写入启用信号以及所述读取启用信号；以及至少一第一主要感测放大器，用于提供所述写入数据信号至所述本地写入装置、自所述本地传感器接收所述数据信号...

【技术特征摘要】
2016.03.29 US 15/083,3031.一种存储器数组结构，其特征在于，包括有：多个数组区段，其中所述数组区段中每一数组区段包括多个存储器组件；多个间隔单元，其中所述间隔单元中每一间隔单元是设置于所述数组区段中的两个数组区段之间且包括有：一本地写入装置，用于根据接收到的一写入启用信号以及一写入数据信号来提供一数据信号，其中所述数据信号用于对所述数组区段中的一数组区段的一特定存储器组件进行写入操作；以及一本地传感器，用于于接收到一启动命令以及一读取启用信号时输出一数据信号；一控制逻辑，用于提供所述写入启用信号以及所述读取启用信号；以及至少一第一主要感测放大器，用于提供所述写入数据信号至所述本地写入装置、自所述本地传感器接收所述数据信号，以及对接收到的所述数据信号进行放大，以提供一读取数据信号至输出数据线。2.如请求项1所述的存储器数组结构，其特征在于，所述本地写入装置是由耦接于所述第一主要感测放大器以及一数组区段的一数字线之间的一N型金氧半导体来实施，以及所述本地传感器是由耦接于所述本地写入装置的一第一金氧半导体、耦接于所述第一N型金氧半导体以及接地端之间的一第二N型金氧半导体来实施。3....

【专利技术属性】
技术研发人员：亚当沙尔·艾尔曼苏里，亚卓安杰·崔斯勒，莱恩马丁·霍夫斯特，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71