半导体结构及其制造方法技术

一种半导体结构包含一基板，具有一第一侧与一第二侧，该第一侧与该第二侧对立；一第一插塞，延伸穿过该基板；一第二插塞，延伸穿过该基板；以及一金属结构，位于该第一插塞与该第二插塞之间。该第一插塞通过该金属结构而与该第二插塞隔离，该第一插塞与该第二插塞经配置以连接至一信号源或传送一信号，以及该金属结构经配置以连接至一电源或接地。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其制造方法
本公开涉及一种半导体结构，特别关于在该半导体结构中的一遮蔽结构。再者，本公开涉及一种具有该遮蔽结构的半导体结构的制造方法。
技术介绍
半导体元件对于许多现代应用而言是重要的。随着电子技术的进展，半导体元件的尺寸越来越小，而功能越来越大且整合的电路量越来越多。由于半导体元件的尺度微小化，具有不同功能的各种形式与尺寸的半导体元经整合且封装于单一模块中。再者，实施许多制造步骤以整合各种形式的半导体元件。然而，半导体元件的制造与整合涉及多复杂的步骤与操作。整合具有小尺寸(profile)与高密度的半导体元件变得越来越复杂。制造与整合半导体元件的复杂度增加可能造成缺陷，例如电互连不良、信号干扰、组件脱层、或是高产量损失。据此，持续需要改良半导体元件的制造制程并且解决上述复杂性。上文的「现有技术」说明仅是提供
技术介绍
，并未承认上文的「现有技术」说明公开本公开的标的，不构成本公开的现有技术，且上文的「现有技术」的任何说明均不应作为本公开的任一部分。
技术实现思路
本公开的实施例提供一种半导体结构，包括一基板，含有一第一侧以及与该第一侧对立的一第二侧；一第一插塞，延伸穿过该基板；一第二插塞，延伸穿过该基板；以及一金属结构，位于该第一插塞与该第二插塞之间，其中该第一插塞通过该金属结构而与该第二插塞隔离，该第一插塞与该第二插塞经配置以连接至一信号源或传送一信号，以及该金属结构经配置以连接至一电源或接地。在本公开的一些实施例中，该半导体结构另包括一介电衬垫，环绕该第一插塞、该第二插塞以及该金属结构。在本公开的一些实施例中，该金属结构的一高度与该第一插塞的一高度及该第二插塞的一高度实质相同。在本公开的一些实施例中，该第一插塞的一宽度与该第二插塞的一宽度实质相同。在本公开的一些实施例中，该金属结构延伸穿过该基板。在本公开的一些实施例中，该半导体结构另包括一第一介电层与一第一金属件，其中该第一介电层位于该基板的该第一侧上方，以及该第一金属件位于该第一介电层内并且电连接至该第一插塞、该第二插塞或该金属结构。在本公开的一些实施例中，该第一金属件包含局部自该第一介电层暴露的一垫件。在本公开的一些实施例中，该第一插塞的一部分、该第二插塞的一部分以及该金属结构的一部分位于该第一介电层内。在本公开的一些实施例中，该半导体结构另包括一第二介电层与一第二金属件，其中该第二介电层位于该基板的该第二侧上方，以及该第二金属件位于该第二介电层内并且电连接至该第一插塞与该第二插塞。在本公开的一些实施例中，该半导体结构另包括一传导凸块，位于该第二金属件上方并且电连接至该第二金属件。在本公开的一些实施例中，该半导体结构另包括一传导凸块，位于该基板的该第二侧上方并且电连接至该第一插塞与该第二插塞。本公开的实施例提供一种半导体结构的制造方法，包括提供一基板，含有一第一侧以及与该第一侧对立的一第二侧；形成一第一插塞、一第二插塞、以及自该基板的该第一侧向该基板的该第二侧延伸的一金属结构；配置一介电层于该基板的该第一侧上方；以及形成一金属件于该介电层内且于该第一插塞、该第二插塞或该金属结构上方，其中该金属结构位于该第一插塞与该第二插塞之间，该第一插塞与该第二插塞经配置以连接至一信号源或传送一信号，以及该金属结构经配置以连接至一电源或接地。在本公开的一些实施例中，形成该第一插塞、该第二插塞与该金属结构包含移除该基板的一部分以形成一凹部，以及配置一传导材料于该凹部内。在本公开的一些实施例中，该制造方法另包括配置一介电衬垫与该凹部共形(conformal)。在本公开的一些实施例中，该制造方法同时形成该第一插塞、该第二插塞与该金属结构。在本公开的一些实施例中，形成该金属件包含形成一垫件，该垫件局部自该介电层暴露并且位于该第一插塞、该第二插塞或该金属结构上方。在本公开的一些实施例中，该金属件电连接至该第一插塞、第二插塞或该金属结构。在本公开的一些实施例中，该制造方法在形成该第一插塞、第二插塞与该金属结构之前，配置一第三介电层于该基板的该第一侧上方。在本公开的一些实施例中，该制造方法另包括研磨该基板的该第二侧，以自该基板暴露该第一插塞的一部分与该第二插塞的一部分。在本公开的一些实施例中，该制造方法另包括配置一传导凸块，位于该第一插塞与该第二插塞上方并且电连接至该第一插塞与该第二插塞。该第一插塞通过该金属结构而与该第二插塞隔离，因而防止或最小化该第一插塞与该第二插塞之间的串扰(crosstalk)。因此，该半导体结构可通过该插塞增加信号的传送速度。本公开的半导体结构包含一些插塞(via)用于信号传输，同时防止信号泄漏或串扰(crosstalk)。所述插塞需要隔离来自相邻插塞的电磁干扰。该半导体结构配置屏蔽(shielding)结构，用于隔离所述插塞并且防止干扰与信号泄漏(leakage)。上文已相当广泛地概述本公开的技术特征及优点，俾使下文的本公开详细描述得以获得优选了解。构成本公开之权利要求标的的其它技术特征及优点将描述于下文。本公开所属
中技术人员应了解，可相当容易地利用下文公开的概念与特定实施例可作为修改或设计其它结构或制程而实现与本公开相同的目的。本公开所属
中技术人员亦应了解，这类等效建构无法脱离后附的权利要求所界定的本公开的构思和范围。附图说明参阅详细说明与权利要求结合考量附图时，可得以更全面了解本申请案的公开内容，附图中相同的元件符号是指相同的元件。图1为剖面示意图，例示本公开的比较实施例的半导体结构。图2为剖面俯视示意图，例示本公开实施例的半导体结构。图3为剖面示意图，例示本公开实施例的半导体结构。图4为剖面示意图，例示本公开实施例的半导体结构。图5为流程图，例示本公开实施例的半导体结构的制造方法。图6至图21为示意图，例示本公开实施例通过图5的方法制造半导体结构的制程。附图标记说明：100半导体结构101基板101a第一侧101b第二侧101b'第二侧102a第一插塞102b第二插塞103金属结构104介电衬垫105第一重布线层105a第一介电层105b第一金属件105c垫件106传导凸块106a接合垫部106b本体部106c焊接部107凹部108第三介电层109第二重布线层109a第二介电层109b第二金属件200半导体结构300半导体结构具体实施方式本公开的以下说明伴随并入且组成说明书的一部分的附图，说明本公开的实施例，然而本公开并不受限于该实施例。此外，以下的实施例可适当整合以下实施例以完成另一实施例。「一实施例」、「实施例」、「例示实施例」、「其他实施例」、「另一实施例」等是指本公开所描述的实施例可包含特定特征、结构或是特性，然而并非每一实施例必须包含该特定特征、结构或是特性。再者，重复使用「在实施例中」一语并非必须指相同实施例，然而可为相同实施例。本公开涉及一种半导体结构，具有位在两个相邻插塞之间的金属结构。所述插塞电连接至信号或信号源，而该金属结构电连接至电源或接地。再者，本公开涉及一种半导体结构的制造方法，包括形成至少两个插塞以及在所述插塞之间的金属结构。为了使得本公开可被完全理解，以下说明提供详细的步骤与结构。显然，本公开的实施不会限制该技艺中的技术人士已知的特定细节。此外，已知的结构与步骤不再详述，以本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构，包括：一基板，包含一第一侧与一第二侧，该第一侧与该第二侧对立；一第一插塞，延伸穿过该基板；一第二插塞，延伸穿过该基板；一金属结构，位于该第一插塞与该第二插塞之间，其中该第一插塞通过该金属结构而与该第二插塞隔离，该第一插塞与该第二插塞经配置以连接至一信号源或传送一信号，以及该金属结构经配置以连接至一电源或接地。

【技术特征摘要】
2017.01.19 US 15/410,4301.一种半导体结构，包括：一基板，包含一第一侧与一第二侧，该第一侧与该第二侧对立；一第一插塞，延伸穿过该基板；一第二插塞，延伸穿过该基板；一金属结构，位于该第一插塞与该第二插塞之间，其中该第一插塞通过该金属结构而与该第二插塞隔离，该第一插塞与该第二插塞经配置以连接至一信号源或传送一信号，以及该金属结构经配置以连接至一电源或接地。2.如权利要求1所述的半导体结构，另包括一介电衬垫，环绕该第一插塞、该第二插塞与该金属结构。3.如权利要求1所述的半导体结构，其中该金属结构的一高度与该第一插塞的一高度及该第二插塞的一高度实质相同。4.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第一插塞的一宽度与该第二插塞的一宽度实质相同。5.如权利要求1所述的半导体结构，其中该金属结构延伸穿过该基板。6.如权利要求1所述的半导体结构，另包括一第一介电层与一第一金属件，其中该第一介电层位于该基板的该第一侧上方，以及该第一金属件位于该第一介电层内并且电连接至该第一插塞、该第二插塞或该金属结构。7.如权利要求6所述的半导体结构，其中该第一金属件包含局部自该第一介电层暴露的一垫件。8.如权利要求6所述的半导体结构，其中该第一插塞的一部分、该第二插塞的一部分以及该金属结构的一部分位于该第一介电层内。9.如权利要求1所述的半导体结构，另包括一第二介电层与一第二金属件，其中该第二介电层位于该基板的该第二侧上方，以及该第二金属件位于该第二介电层内并且电连接至该第一插塞与该第二插塞。10.如权利要求9所述的半导体结构，另包括一传导凸块，位于该第二金属件上方并且电连接至该第二金属件。11.如...

【专利技术属性】
技术研发人员：林柏均，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71