【技术实现步骤摘要】
存储器元件
本公开主张2017年12月25日申请的美国临时申请案第62/610,263号及2018年1月30日申请的美国正式申请案第15/883,716号的优先权及益处，该美国临时申请案及该美国正式申请案的内容以全文引用的方式并入本文中。
技术介绍
纳米碳管(Carbonnanotubes,CNT)是在边缘附有六角形石墨分子的微圆柱形的碳元素。纳米碳管有被用作为半导体的潜力，可能取代各种计算元件中的硅。上文的“现有技术”说明仅是提供
技术介绍
，并未承认上文的“现有技术”说明公开本公开的标的，不构成本公开的现有技术，且上文的“现有技术”的任何说明均不应作为本公开的任一部分。
技术实现思路
本公开提供一种存储器元件，包括一第一电极、一第二电极、一晶体管和一纳米管。该晶体管包括一第一节点、一第二节点和一控制节点，其中该第二节点电性耦合该第二电极，该控制节点经配置以在该第一节点与该第二节点之间产生一通道。该纳米管的一第一端电性耦合一接触点，该纳米管的一第二端设置在该第一电极和该第二电极之间；该第二端电性连接该第一电极，形成该存储器元件的一非挥发性打开状态；或者该第二端电性连接该...
【技术保护点】
1.一存储器元件，包括：一第一电极；一第二电极；一晶体管，具有一第一节点、一第二节点和一控制节点，其中该第二节点电性耦合该第二电极，该控制节点经配置以在该第一节点与该第二节点之间产生一通道；以及一纳米管，该纳米管的一第一端电性耦合一接触点，该纳米管的一第二端设置在该第一电极和该第二电极之间；其中该第二端电性连接该第一电极，形成该存储器元件的一非挥发性打开状态；或者该第二端电性连接该第二电极，形成该存储器元件的一非挥发性闭合状态；其中该非挥发性打开状态代表一第一逻辑状态，该非挥发性闭合状态代表一第二逻辑状态。
【技术特征摘要】
2017.12.25 US 62/610,263;2018.01.30 US 15/883,7161.一存储器元件，包括：一第一电极；一第二电极；一晶体管，具有一第一节点、一第二节点和一控制节点，其中该第二节点电性耦合该第二电极，该控制节点经配置以在该第一节点与该第二节点之间产生一通道；以及一纳米管，该纳米管的一第一端电性耦合一接触点，该纳米管的一第二端设置在该第一电极和该第二电极之间；其中该第二端电性连接该第一电极，形成该存储器元件的一非挥发性打开状态；或者该第二端电性连接该第二电极，形成该存储器元件的一非挥发性闭合状态；其中该非挥发性打开状态代表一第一逻辑状态，该非挥发性闭合状态代表一第二逻辑状态。2.如权利要求1所述的存储器元件，其中当该存储器元件是在该非挥发性闭合状态时，一第一电压施加至该接触点，一第二电压施加至该第二电极，该第二电极吸引该纳米管的该第二端，其中该第一电压与第该二电压实质上不同。3.如权利要求1所述的存储器元件，其中当该存储器元件是在该非挥发性打开状态时，一第三电压施加至该接触点，一第四电压施加至该第一电极，该第一电极吸引该纳米管的该第二端，其中该第三电压与第该四电压实质上相同。4.如权利要求1所述的存储器元件，其中该纳米管是一掺氮纳米碳管。5.如权利要求4所述的存储器元件，其中该掺氮纳米碳管的氮浓度介于2％至10％之间。6.如权利要求1所述的存储器元件，其中该非挥发性打开状态形成在该第二节点与该接触点之间；该非挥发性闭合状态形成在该第二节点与该接触点之间。7.如权利要求1所述的存储器元件，其中该控制节点被启动以在该第一节点与该第二节点之间产生一通道；该非挥发性打开状态形成在该第一节点与该接触点之间，该非挥发性闭合状态形成在第一节点与该接触点之间。8.一存储器元件，包括：一第一接触点；一第二接触点；一第一纳米管，电性耦合该第一接触点；一第二纳米管，电性耦合该第二接触点；一晶体管，具有一第一节点、一第二节点和一控制节点，其中该第二节点电性耦合该第二接触点，该控制节点经配置以在该第一节点与该第二节点之间启动一通道；以及其中该第一纳米管电性连接该第二纳米管，形成该存储器元件的一非挥发性闭合状态；或者该第一纳米管电性断开该第二纳米管，形成该存储器元件的一非挥发性打开状态；其中该非挥发性打开状态代表一第一逻辑状态，该非挥发性闭合状态代表一第二逻辑状态。9.如权利要求8所述的存储器元件，其中当该存储器元件是在该非挥发性闭合状态时，一第一电压施加至该第一接触点，一第二电压施加至该第二纳米管，该第二纳米管吸...
【专利技术属性】
技术研发人员：方伟权，林春霈，周良宾，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71
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