存储器制造技术

本实用新型专利技术提供了一种存储器。在本实用新型专利技术提供的存储器中，至少一组字线形成于衬底中，掺杂层分列于每一字线两侧，掺杂层在每组字线的相邻两条字线之间的深度大于在相邻两条字线背离侧的深度，且掺杂层在相邻两条字线背离侧的深度随远离相邻两条字线而变小。由此，使得漏电流得以降低，同时改善了开启电流，从而提高存储器的性能。

【技术实现步骤摘要】
存储器
本技术涉及半导体
，特别涉及一种存储器。
技术介绍
集成电路已经从单一的芯片上集成数十个器件发展为集成数百万器件。传统的集成电路的性能和复杂性已经远远超过了最初的想象。为了实现在复杂性和电路密度(在一定芯片面积上所能容纳的器件的数量)方面的提高，器件的特征尺寸，也称为“几何尺寸(geometry)”，随着每一代的集成电路已经越变越小。提高集成电路密度不仅可以提高集成电路的复杂性和性能，而且对于消费者来说也能降低消费。使器件更小是有挑战性的，因为在集成电路制造的每一道工艺都有极限，也就是说，一定的工艺如果要在小于特征尺寸的条件下进行，需要更换该工艺或者器件布置；另外，由于越来越快的器件设计需求，传统的工艺和材料存在工艺限制。DRAM(DynamicRandomAccessMemory)，即动态随机存取存储器是最为常见的系统内存；该DRAM存储器为一种半导体器件，其性能已经取得很大的发展，但仍有进一步发展的需求。在现有技术中，埋栅式DRAM为一种常见的结构，例如单深度管结(singlecelljunctiondepthstructure)的DRAM，但是，这种DRAM的漏电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储器，其特征在于，包括：衬底，所述衬底具有相对设置的第一表面和第二表面；至少一组字线，形成在所述衬底的内部，每组字线包括两条相邻的字线；及，掺杂层，自所述衬底的第一表面延伸至所述衬底的内部，并分列于每一所述字线的两侧，所述掺杂层在每组字线的相邻两条字线之间的深度大于所述掺杂层在所述相邻两条字线背离侧的深度，且所述掺杂层在所述相邻两条字线背离侧的深度随远离所述相邻两条字线而变小。

【技术特征摘要】
1.一种存储器，其特征在于，包括：衬底，所述衬底具有相对设置的第一表面和第二表面；至少一组字线，形成在所述衬底的内部，每组字线包括两条相邻的字线；及，掺杂层，自所述衬底的第一表面延伸至所述衬底的内部，并分列于每一所述字线的两侧，所述掺杂层在每组字线的相邻两条字线之间的深度大于所述掺杂层在所述相邻两条字线背离侧的深度，且所述掺杂层在所述相邻两条字线背离侧的深度随远离所述相邻两条字线而变小。2.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述掺杂层包括第一部分、第二部分及第三部分，所述第一部分的深度大于所述第二部分的深度，所述第二部分的深度大于所述第三部分的深度，所述第一部分位于所述相邻两条字线之间，所述第二部分位于所述相邻两条字线背离侧，所述第三部分位于所述第二部分远离所述字线的一侧。3.如权利要求2所述的存储器，其特征在于，所述第一部分的深度介于50nm～70nm，所述第二部分的深度介于40nm～60nm，所述第三部分...

【专利技术属性】
技术研发人员：周步康，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽,34