【技术实现步骤摘要】
动态随机存取存储器
本公开主张2017年12月4日申请的美国临时申请案第62/594,128号及2017年12月13日申请的美国正式申请案第15/840,083号的优先权及益处，该美国临时申请案及该美国正式申请案的内容以全文引用的方式并入本文中。本公开涉及一种动态随机存取存储器(DRAM)，并且更具体地涉及管理DRAM上的更新操作。
技术介绍
动态随机存取存储器(dynamicrandomaccessmemory，DRAM)是一种随机存取存储器的形态。该种形态的随机存取存储器将每个位元的数据存储在单独的电容器中。最简单的DRAM单元包括单个N型金属氧化物半导体(n-typemetal-oxide-semiconductor，NMOS)晶体管和单个电容器。如果电荷存储在电容器中，则根据所使用的惯例，该单元被称为存储逻辑高。如果不存在电荷，则称该单元存储逻辑低。由于电容器中的电荷随时间消耗，因此DRAM系统需要额外的更新电路来周期性地更新存储在电容器中的电荷。由于电容器只能存储非常有限的电荷量，为了快速区分逻辑1和逻辑0之间的差异，通常每个位元使用两个位元线(bitl...
【技术保护点】
1.一种动态随机存取存储器(dynamic random access memory，DRAM)，包括：一更新单元，具有多个存储行；一存取元件，经配置以存取所述存储行；以及一更新元件，经配置以因应于一第一事件以一第一方式更新该更新单元，以及因应于一第二事件以一第二方式更新该更新单元，其中在该第一事件中，该更新单元的被存取存储行的一数量不大于一临界数量，以及其中在该第二事件中，该更新单元的被存取存储行的该数量大于该临界数量。
【技术特征摘要】
2017.12.04 US 62/594,128;2017.12.13 US 15/840,0831.一种动态随机存取存储器(dynamicrandomaccessmemory，DRAM)，包括：一更新单元，具有多个存储行；一存取元件，经配置以存取所述存储行；以及一更新元件，经配置以因应于一第一事件以一第一方式更新该更新单元，以及因应于一第二事件以一第二方式更新该更新单元，其中在该第一事件中，该更新单元的被存取存储行的一数量不大于一临界数量，以及其中在该第二事件中，该更新单元的被存取存储行的该数量大于该临界数量。2.如权利要求1所述的动态随机存取存储器，其中该更新元件经配置以，因应于该第一事件，除了该更新单元的一邻居存储行之外，根据一第一更新率更新该更新单元，其中该邻居存储行是该更新单元的全部的未被存取的存储行的一者，并且该邻居存储行紧邻该更新单元的一被存取的存储行。3.如权利要求2所述的动态随机存取存储器，其中该更新元件经配置以，因应于该第一事件，根据大于该第一更新率的一第二更新率更新该邻居存储行。4.如权利要求3所述的动态随机存取存储器，还包括：一控制元件，经配置以，从全部的未被存取的存储行，识别出该邻居存储行。5.如权利要求1所述的动态随机存取存储器，其中该更新元件经配置以，因应于该第二事件，除了全部的未被存取的存储行，根据一第一更新率更新该更新单元。6.如权利要求5所述的动态随机存取存储器，其中该更新元件经配置以，因应于该第二事件，根据大于该第一更新率的一第二更新率更新该全部的未被存取的存储行。7.一种动态随机存取存储器(DRAM)，包括：一更新单元；一存取元件，经配置以存取具有多个存储行的该更新单元；一第一更新元件，经配置以更新所述存储行；以及一第二更新元件，经配置以，因应于一第一事件，更新一邻居存储行，其中在该第一事件中，该更新单元的一存取次数在一自更新周期内达到一临界次数，并且该更新单元的被存取的存储行的一数量不大于一第一临界数量，以及其中该邻居存储行是该更新单元的全部的未被存取的存储行的一者，并且该邻居存储行紧邻该更新单元的一被存取的存储行。8.如权利要求7所述的动态随机存取存储器，还包括：一控制元件，经配置以，从该全部的未被存取的存储行，识别出该邻居存储行。9.如权利要求8所述的动态随机存取存储器，其中该第二更新...
【专利技术属性】
技术研发人员：李忠勋，刘献文，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71
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