半导体制造设备及其操作方法技术

本公开提供一种半导体制造设备以处理一半导体物件。该半导体制造设备包括一处理反应室、一第一电极、一第二电极、一射频电源、以及一个或多个光源产生器。该第一电极设置于该处理反应室内。该第二电极设置于该处理反应室内并且实质上在该第一电极下方。该射频电源电连接至该第一电极。该一个或多个光源产生器设置于该处理反应室内以照射该半导体，从而释放该半导体物件上的电荷。

Semiconductor manufacturing equipment and operation method

【技术实现步骤摘要】
半导体制造设备及其操作方法
本申请主张享有于2018/09/20申请的美国正式申请第16/137,224号的优先权及益处，该美国正式申请的内容以全文引用的方式并入本文中。本公开涉及一种设备及该设备的操作方法，且特别涉及一种半导体制造设备及该制造设备的操作方法。
技术介绍
具有半导体元件的电子设备对许多现代的应用至关重要。随着电子技术的进步，半导体元件的尺寸变得越来越小，并且提供更大的功能及更大数量的集成电路。半导体元件的制造通常涉及在半导体的基底上放置多个部件。在干蚀刻工艺期间包括在等离子体形成期间，处理芯片上的电荷容易被诱发。特别对于高偏压的蚀刻工艺，以非各向同性蚀刻实现高纵深(highaspectratio)结构，导体层的表面容易积累电子电荷。如果导体没有有效接地或导体层上的电荷未被适当地释放，导体层上的累积电压电位容易引起电弧现象(arcphenomenon)。目前，反应室去静电盘(chamberde-chuck)用于蚀刻工艺之后释放电荷。但是，当蚀刻目标的几何形状太小以致无法连接到基板时，去静电盘的步骤即可能无法有效地释放小几何形状导体上的电荷。上文的“现有技术”说明仅涉及
技术介绍
，并未承认上文的“现有技术”说明揭示本公开的主题，不构成本公开的现有技术，且上文的“现有技术”的任何说明均不应作为本申请的任一部分。
技术实现思路
本公开提供一种半导体制造设备以处理一半导体物件。该半导体制造设备包括：一处理反应室；一第一电极，设置于该反应室内；一第二电极，设置于该处理反应室内并且实质上在该第一电极下方；一射频电源，电连接至该第一电极；多个光源产生器，设置于该处理反应室内以照射该半导体物件，从而释放该半导体物件上的电荷。在一些实施例中，该光源产生器的波长在280纳米至400纳米的范围内。在一些实施例中，该光源产生器于一水平方向上以等间隔彼此间隔开。在一些实施例中，该光源产生器设置于该半导体物件的上方。在一些实施例中，该半导体制造设备还包括一气体供应系统，该气体供应系统连接至该处理反应室的入口，并且经配置以将一种或多种化学气体引入该处理反应室。在一些实施例中，该半导体制造设备还包括一排气系统，该排气系统连接至该处理反应室的出口，并且经配置以从该处理反应室移除该化学气体。在一些实施例中，该第二电极接地。在一些实施例中，该第二电极是浮动的。在一些实施例中，该第二电极经配置以平行于该第一电极。在一些实施例中，该半导体制造设备被应用以执行一基于等离子体的工艺。在一些实施例中，该半导体制造设备被应用以执行一蚀刻或一沉积的工艺。本公开另提供一种半导体制造设备的操作方法。该半导体制造装置包括：一处理反应室；一第一电极，设置于该反应室内；一第二电极，该第二电极平行于该第一电极；一射频电源，电连接至该第一电极；一个或多个光源产生器，设置于该处理反应室内；以及一气体供应系统与一排气系统，该气体供应系统与该排气系统连通该处理反应室。该操作方法包括：移动一半导体物件至该处理反应室内；打开该射频电源以提供一偏置功率来迫使游离分子至该半导体物件的一表面并与该半导体物件反应；打开该光源产生器以照射紫外光来激发该半导体物件上的自由电子；关闭该射频电源；以及将该半导体物件移出该处理反应室。在一些实施例中，该操作方法包括：在关闭该射频电源后，关闭该光源产生器。在一些实施例中，该操作方法还包括：在该半导体物件被移出该处理反应室之后，关闭该光源产生器。在一些实施例中，该操作方法还包括：打开该射频电源，并且打开该光源产生器。在一些实施例中，该射频电源及该光源产生器同时打开。在一些实施例中，该操作方法还包括：当该射频电源打开时，将一种或多种化学气体引入该处理反应室。在一些实施例中，该操作方法还包括：当该射频电源关闭时，停止将该化学气体引入该处理反应室。在一些实施例中，该操作方法还包括：当RF电源关闭时，吹除该处理反应室的该化学气体。在一些实施例中，该紫外光的波长在10纳米(nm)至400纳米的范围内。在一些实施例中，该紫外光的波长在280纳米至400纳米的范围内。在一些实施例中，该半导体基底安装于该第二电极上方。在一些实施例中，该操作方法被应用在一蚀刻或一沉积的工艺。利用上述的配置，本公开的技术可以释放于蚀刻或沉积工艺期间累积在半导体物件上的自由电子。上文已相当广泛地概述本公开的技术特征及优点，为的是使下文的本公开详细描述得以获得较佳了解。构成本公开的申请专利范围的其它技术特征及优点将描述于下文。本公开所属
中普通技术人员应了解，可相当容易地利用下文揭示的概念与特定实施例可作为修改或设计其它结构或工艺而实现与本公开相同的目的。本公开所属
中普通技术人员也应了解，这类等效建构无法脱离随附权利要求书范围所界定的本公开的精神和范围。附图说明参阅实施方式，其与权利要求书范围合并考量附图时，可得以更全面了解本申请的揭示内容，图中相同的元件符号指相同的元件。图1是剖视图，例示本公开一些实施例的一半导体制造设备。图2是流程图，例示本公开一些实施例(图1)的半导体制造设备的操作方法。图3A至图3F是示意图，例示本公开一些实施例(图1)的制造设备使用图2的操作方法。图4是流程图，例示本公开一些实施例的半导体制造设备的操作方法。图5是示意图，例示本公开一些实施例的一光源产生器的操作。附图标记说明：300半导体制造装置302处理反应室302a入口302b出口304第一电极306第二电极308射频电源310光源产生器350半导体物件360气体供应系统370排气系统400操作方法400'操作方法402操作404操作406操作408操作410操作412操作具体实施方式本公开的以下说明伴随并入且组成说明书的一部分的附图，说明本公开实施例，然而本公开并不受限于该实施例。此外，以下的实施例可适当整合以下实施例以完成另一实施例。“一实施例”、“实施例”、“例示实施例”、“其他实施例”、“另一实施例”等指本公开所描述的实施例可包含特定的特征、结构或特性，然而并非每一实施例必须包含该特定的特征、结构或特性。再者，重复使用“在实施例中”一语并非必须指相同实施例，然而可为相同实施例。为了使得本公开可被完全理解，以下说明提供详细的步骤与结构。显然，本公开的实施不会限制本领域技术人员已知的特定细节。此外，已知的结构与步骤不再详述，以免不必要地限制本公开。本公开的较佳实施例详述如下。然而，除了实施方式之外，本公开也可广泛实施于其他实施例中。本公开的范围不限于实施方式的内容，而是由权利要求的范围来定义。图1是剖视图，例示本公开本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体制造设备，经配置以处理具有一个或多个导电层的半导体物件，该半导体制造设备包括：/n一处理反应室；/n一第一电极，设置于该处理反应室内；/n一第二电极，设置于该处理反应室内并且实质上在该第一电极下方；/n一射频电源，电连接至该第一电极；以及/n一个或多个光源产生器，设置于该处理反应室内以照射该半导体，从而释放该半导体物件上的电荷。/n

【技术特征摘要】
20180920 US 16/137,2241.一种半导体制造设备，经配置以处理具有一个或多个导电层的半导体物件，该半导体制造设备包括：
一处理反应室；
一第一电极，设置于该处理反应室内；
一第二电极，设置于该处理反应室内并且实质上在该第一电极下方；
一射频电源，电连接至该第一电极；以及
一个或多个光源产生器，设置于该处理反应室内以照射该半导体，从而释放该半导体物件上的电荷。


2.如权利要求1所述的半导体制造设备，其中该光源产生器经配置以照射一光线，该光线的波长在10纳米至400纳米的范围内。


3.如权利要求1所述的半导体制造设备，其中该光源产生器于一水平方向上彼此间隔开。


4.如权利要求1所述的半导体制造设备，其中该光源产生器设置于该半导体物件的上方。


5.如权利要求1所述的半导体制造设备，还包括一气体供应系统，该气体供应系统连接至该处理反应室的入口，并且经配置以将一种或多种化学气体引入该处理反应室。


6.如权利要求1所述的半导体制造设备，还包括一排气系统，该排气系统连接至该处理反应室的出口，并且经配置以从该处理反应室移除该化学气体。


7.如权利要求1所述的半导体制造设备，其中该第二电极平行于该第一电极。


8.如权利要求1所述的半导体制造设备，其中该第二电极接地。


9.如权利要求1所述的半导体制造设备，其中该第二电极是浮动的。


10.一种半导体制造设备的操作方法，该半导体制造设备包括一处理反应室；一第一电极，设置于该反应室内；一第二电极，该第二电极平行于该第一电极；一射频电源，电连接至该...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄仲麟，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71