反熔丝结构制造技术

一种反熔丝结构，包括一主动区及该主动区上的一栅极电极。该主动区包括一第一本体部分及在一第一方向延伸的一第一延伸部分。该栅极电极包括一第二本体部分及在垂直于该第一方向的一第二方向上延伸的一第二延伸部分。该第一本体部分包括面向该第二本体部分的一部分的一第一表面，该第二本体部分包括面向该第一延伸部分的一部分的一第二表面。该第一延伸部分及该第二延伸部分在垂直于该第一方向及该第二方向的一第三方向上部分重叠，且一介电层夹在该第一延伸部分及该第二延伸部分之间，形成一交叉区域。

Antifuse structure

【技术实现步骤摘要】
反熔丝结构
本公开主张2018/07/13申请的美国正式申请案第16/034,905号的优先权及益处，该美国正式申请案的内容以全文引用的方式并入本文中。本公开涉及一种反熔丝(anti-fuse)结构，特别涉及一种栅极氧化物(gateoxide,GOX)的反熔丝结构。
技术介绍
在集成电路的制造中，反熔丝及熔丝被广泛地运用于容错(faulttolerance)。例如，反熔丝及熔丝可以放置在元件的电路路径中。最初可导电的电路路径可以通过熔断熔丝变成断路。相反地，原本不可导电的电路路径可能通过熔断反熔丝而变成短路。此外，反熔丝也用于一次性的程序化。一种反熔丝结构是由一个绝缘体彼此隔开的两个导体所组成。两个导体分别连接到不同的组件。当施加的电压低于一可程序化电压时，两个导体之间的路径是不可导电的电路路径，即断路。当施加可程序化电压时，绝缘体经历一介电击穿过程。漏电流增加并且出现热失控状态，使绝缘体及相邻导电材料熔化。导电材料从两个导体流出并形成导电细丝，造成两个导体之间是一短路。程序化电压是反熔丝设计规则中的关键因素，本公开是供本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种反熔丝结构，包括：/n一主动区，具有一第一本体部分及沿一第一方向延伸的一第一延伸部分；以及/n一栅极电极，在该主动区上方，其中该栅极电极包括一第二本体部分及一第二延伸部分，该第二延伸部分沿垂直于该第一方向的一第二方向延伸；/n其中该第一本体部分包括面向该第二本体部分的一部分的一第一表面，该第二本体部分包括面向该第一延伸部分的一部分的一第二表面；/n其中该第一延伸部分及第二延伸部分在垂直于该第一方向及该第二方向的一第三方向上部分重叠，并且一介电层夹在该第一延伸部分及该第二延伸部分之间，形成一交叉区域。/n

【技术特征摘要】
20180713 US 16/034,9051.一种反熔丝结构，包括：
一主动区，具有一第一本体部分及沿一第一方向延伸的一第一延伸部分；以及
一栅极电极，在该主动区上方，其中该栅极电极包括一第二本体部分及一第二延伸部分，该第二延伸部分沿垂直于该第一方向的一第二方向延伸；
其中该第一本体部分包括面向该第二本体部分的一部分的一第一表面，该第二本体部分包括面向该第一延伸部分的一部分的一第二表面；
其中该第一延伸部分及第二延伸部分在垂直于该第一方向及该第二方向的一第三方向上部分重叠，并且一介电层夹在该第一延伸部分及该第二延伸部分之间，形成一交叉区域。


2.如权利要求1所述的反熔丝结构，其中该交叉区域的纵横比约在0.9至1.5的范围。


3.如权利要求1所述的反熔丝结构，其中该第一表面在该第一方向上与该栅极电极分离。


4.如权利要求1所述的反熔丝结构，还包括：
一第一导电通孔，设置在该第一本体部分上，电连接到该主动区；
一第二导电通孔，设置在该第二本体部分上，电连接到该栅极电极极。


5.一种反熔丝结构，包括：
一主动区，具有一第一本体部分及沿一第一方向延伸的一第一延伸部分；以及
一栅极电极，在该主动区上方，其中该栅极电极包括一第二本体部分及两个第二延伸部分；该第二延伸部分在该第一方向上从第二本体部分延伸，且该第二本体部分及该两个第二延伸部分彼此以一空间分离；
其中该第一延伸部分及第二延伸部分在垂直于该第一方向的垂直投影方向上部分重叠，并且一介电层夹在该第一延伸部分及该第二延伸部分之间...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄庆玲，施江林，陈姿吟，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71