【技术实现步骤摘要】
具有精细图案的半导体元件结构及其制备方法
本公开主张2019/06/28申请的美国正式申请案第16/456,921号的优先权及益处，该美国临时申请案及该美国正式申请案的内容以全文引用的方式并入本文中。本公开涉及一种半导体元件结构及其制备方法。特别涉及一种具有精细图案的半导体元件结构及其制备方法。
技术介绍
当半导体元件结构变得更小且更高度整合时，已经发展出许多制造具有精细图案的半导体元件结构的技术。特别地是，一微影工艺是典型地被用来在一基底上制造电子或光电元件，且由微影工艺所制备的光刻胶图案是在蚀刻或离子植入工艺中当作是遮罩。当所需的间距尺寸(pitchsize)与临界尺寸(criticaldimension，CD)持续变小时，光刻胶图案的精细度(fineness)在整合程度上变成是一个非常重要的参数。然而，用于制造半导体部件(semiconductorfeatures)的微影工艺在曝光设备(exposureapparatus)的分辨率中存在有一限制。虽然存在具有精细图案的半导体元件结构及其制备方法是已满足其...
【技术保护点】
1.一种半导体元件结构的制备方法，包括：/n在一基底上形成一柱体；/n在该柱体的一侧壁上形成一第一环结构；/n移除该柱体以形成一第一开口，该第一环结构包围该第一开口设置；/n在该第一开口中形成一第二环结构；/n在该第一开口形成之后，形成围绕该第一环结构的一第三环结构；以及/n移除该第一环结构以在该第二环结构与该第三环结构之间形成一间隙。/n
【技术特征摘要】
20190628 US 16/456,9211.一种半导体元件结构的制备方法，包括：
在一基底上形成一柱体；
在该柱体的一侧壁上形成一第一环结构；
移除该柱体以形成一第一开口，该第一环结构包围该第一开口设置；
在该第一开口中形成一第二环结构；
在该第一开口形成之后，形成围绕该第一环结构的一第三环结构；以及
移除该第一环结构以在该第二环结构与该第三环结构之间形成一间隙。
2.如权利要求1所述的半导体元件结构的制备方法，其中该第一环结构直接接触该第二环结构，该第一环结构的一宽度大致地与该第二环结构的一宽度相同。
3.如权利要求1所述的半导体元件结构的制备方法，其中该第一环结构直接接触该第三环结构，该第二环结构与该第三环结构同时形成，且该第二环结构的一宽度大致地与该第三环结构的一宽度相同。
4.如权利要求1所述的半导体元件结构的制备方法，其中该柱体的一宽度大于该第一环结构的一宽度的三倍。
5.如权利要求1所述的半导体元件结构的制备方法，还包括：
在该第二环结构与该第三环结构形成之前，在该基底的一顶表面上以及在该第一环结构的一顶表面上形成一介电层，其中在移除该第一环结构之前，该介电层的一顶表面高于该第二环结构的该顶表面与该第三环结构的该顶表面。
6.如权利要求5所述的半导体元件结构的制备方法，其中该第二环结构与该第三环结构形成在该介电层上，且该介电层的一材料不同于该第二环结构的一材料与该第三环结构的一材料。
7.如权利要求1所述的半导体元件结构的制备方法，其中在该第二环结构形成之前，一第二开口形成在该第一开口中，该第二环结构围绕该第二开口设置，且该第一环结构的一宽度大致地与该第二开口的一宽度相同。
8.一种半导体元件结构的制备方法，包括：
在一基底上形成一第一柱体；
形成围绕该第一柱体的一第一环结构，其中该第一柱体的一宽度大于该第一环结构的一宽度；
在该第一环结构形成之后，移除该第一柱体；
在移除该第一柱体之后，在该基底的一顶表面上形成一介电层；
在该介电层上形成一第二环结构与一第三环结构，其中该第一环结构围绕该第二环结构设置，该第三环结构围绕该第二环结构设置；以及
移除该第一环结构以及未被该第二环结构与该第三环结构所覆盖而余留的一部分。
9.如权利要求8所述的半导体元件结构的制备方法，其中该介电层的一部分形成在该第一环结构上，该介电层的该部分的一顶表面高于该第二环结构的一顶表面与该第三环结构的一顶表面。
...
【专利技术属性】
技术研发人员：薛宇涵，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。