半导体元件及其制备方法技术

本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件具有至少一晶粒。该至少一晶粒具有一集成电路区、围绕该集成电路区的一第一凹陷区以及围绕该第一凹陷区的一第二凹陷区。一第一凹陷部配置在该第一凹陷区中，且一第二凹陷部配置在该第二凹陷区中。

【技术实现步骤摘要】
半导体元件及其制备方法
本公开主张2019/06/13申请的美国正式申请案第16/440,376号的优先权及益处，该美国正式申请案的内容以全文引用的方式并入本文中。本公开涉及一种半导体元件及其制备方法。特别涉及一种具有多个凹陷的半导体元件及其制备方法。
技术介绍
半导体元件是使用在不同的电子应用中，例如个人电脑、移动电话、数码相机，以及其他电子设备。在半导体元件的制备期间，开裂(cracks)或湿气(moisture)可能影响半导体元件的功能。因此在达到改善品质、良率以及可靠度上仍具有挑战性。上文的“现有技术”说明仅是提供
技术介绍
，并未承认上文的“现有技术”说明揭示本公开的标的，不构成本公开的现有技术，且上文的“现有技术”的任何说明均不应作为本公开的任一部分。
技术实现思路
本公开提供一种可靠的半导体元件及其制备方法。本公开的一实施例提供一种在一半导体元件。该半导体元件包括至少一晶粒。该至少一晶粒具有一集成电路区、围绕该集成电路区的一第一凹陷区以及围绕该第一凹陷区的一第二凹陷区。一第一凹陷部配置在该第本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体元件，包括：/n至少一晶粒，包括：/n一集成电路区；/n一第一凹陷区，围绕该集成电路区设置；以及/n一第二凹陷区，围绕该第一凹陷区设置；/n其中一第一凹陷部配置在该第一凹陷区中，且一第二凹陷部配置在该第二凹陷区中。/n

【技术特征摘要】
20190613 US 16/440,3761.一种半导体元件，包括：
至少一晶粒，包括：
一集成电路区；
一第一凹陷区，围绕该集成电路区设置；以及
一第二凹陷区，围绕该第一凹陷区设置；
其中一第一凹陷部配置在该第一凹陷区中，且一第二凹陷部配置在该第二凹陷区中。


2.如权利要求1所述的半导体元件，还包括一第一导电结构，其中，该第一导电结构配置在该第一凹陷部与该第二凹陷部之间。


3.如权利要求1所述的半导体元件，还包括一第二导电结构，其中，该第二导电结构围绕该第二凹陷部设置。


4.如权利要求1所述的半导体元件，还包括一缓冲区，其中，该缓冲区围绕该集成电路区设置，并以该第一凹陷区插置在其间。


5.如权利要求2所述的半导体元件，其中，该第一导电结构包括多个隔离层以及多个导电层，其中所述隔离层叠置在该晶粒的一基底上，所述导电层配置在一些所述隔离层之间。


6.如权利要求3所述的半导体元件，其中，该第二导电结构包括多个隔离层以及多个导电层，其中所述隔离层叠置在该晶粒的一基底上，所述导电层配置在一些所述隔离层之间。


7.如权利要求2所述的半导体元件，其中，该第一导电结构包括多个隔离层、多个导电层以及多个通孔，其中所述隔离层叠置在该晶粒的一基底上，所述导电层配置在一些所述隔离层之间，而所述通孔穿经其他所述隔离层以电性连接所述导电层。


8.如权利要求3所述的半导体元件，其中，该第二导电结构包括多个隔离层、多个导电层以及多个通孔，其中所述隔离层叠置在该晶粒的一基底上，所述导电层配置在一些所述隔离层之间，而所述通孔穿经其他所述隔离层以电性连接所述导电层。


9.如权利要求2所述的半导体元件，其中，该第一导电结构为电性接地。


10.如权利要求3所述的半导体元件，其中，该第二导电结构为电性接地。


11.一种半导体元件，包括：
至少一晶粒，包括：
一集成电路区；
一第一凹陷区，围绕该集成电路区设置；以及
一第二凹陷区，围绕该第...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢立翰，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71