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半导体元件及其制备方法技术
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文档序号:26732783
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本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件具有至少一晶粒。该至少一晶粒具有一集成电路区、围绕该集成电路区的一第一凹陷区以及围绕该第一凹陷区的一第二凹陷区。一第一凹陷部配置在该第一凹陷区中,且一第二凹陷部配置在该第二凹陷区中。...
该专利属于南亚科技股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过南亚科技股份有限公司授权不得商用。
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