半导体存储器元件及其制备方法技术

一种半导体存储器元件及其制备方法。半导体存储器元件具有基底、栅极结构、第一介电质、第二介电质、插塞、储存节点着陆垫、位元线、第三介电质及储存节点。基底具有漏极以及源极。栅极结构配置在基底上，在漏极与源极之间。第一介电质配置在基底上，覆盖栅极结构。第二介电质配置在第一介电质上。插塞具有第一部位及第二部位，第一部位在第一介电质中，第二部位在第二介电质中，第一部位接触基底的源极。储存节点着陆垫覆盖插塞的第二部位，第二介电质覆盖储存节点着陆垫。位元线配置在第二介电质与第三介电质之间，且连接基底的漏极。第三介电质配置在位元线上。储存节点配置在第三介电质上，并穿经第二介电质与第三介电质接触储存节点着陆垫。

【技术实现步骤摘要】
半导体存储器元件及其制备方法
本申请案主张2019/05/23申请的美国正式申请案第16/421,024号的优先权及益处，该美国正式申请案的内容以全文引用的方式并入本文中。本公开是涉及一种半导体存储器元件及其制备方法。特别是涉及一种具有自对准着陆垫的半导体存储器元件及其制备方法。
技术介绍
动态随机存取存储器(dynamicrandomaccessmemory，DRAM)的储存节点的电容(capacitance)对其效能是至关重要的。在读取资料时，不足的电容导致较短的再新时间(refreshtimes)以及不足的电压差。也因此提出电容位于位元线上(capacitoroverbitline，COB)的架构，以消除在储存节点的尺寸与形状上的限制。将储存节点配置在位元线上以取代位在多层之间，其是指多个储存节点并不会平坦，且设计在一三维架构(three-dimensionalconfiguration)中。然而，电容位于位元线上(COB)的架构增加在位元线上的储存节点，因此由于基底的源极与储存节点之间的距离增加，所以需要具有较加深宽比(本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体存储器元件，包括：/n一基底，具有一漏极以及一源极；/n一栅极结构，配置在该基底上，并位在该漏极与该源极之间；/n一第一介电质，配置在该基底上，并覆盖该栅极结构；/n一第二介电质，配置在该第一介电质上；/n一插塞，具有一第一部位以及一第二部位，该第一部位位在该第一介电质中，该第二部位位在该第二介电质中，其中该第一部位接触该基底的该源极；/n一储存节点着陆垫，覆盖该插塞的该第二部位，且该第二介电质覆盖储存节点着陆垫；/n一位元线，连接该基底的该漏极；/n一第三介电质，配置在该位元线上，且该位元线配置在该第二介电质与该第三介电质之间；以及/n一储存节点，配置在该第三介电质上，并穿经该...

【技术特征摘要】
20190523 US 16/421,0241.一种半导体存储器元件，包括：
一基底，具有一漏极以及一源极；
一栅极结构，配置在该基底上，并位在该漏极与该源极之间；
一第一介电质，配置在该基底上，并覆盖该栅极结构；
一第二介电质，配置在该第一介电质上；
一插塞，具有一第一部位以及一第二部位，该第一部位位在该第一介电质中，该第二部位位在该第二介电质中，其中该第一部位接触该基底的该源极；
一储存节点着陆垫，覆盖该插塞的该第二部位，且该第二介电质覆盖储存节点着陆垫；
一位元线，连接该基底的该漏极；
一第三介电质，配置在该位元线上，且该位元线配置在该第二介电质与该第三介电质之间；以及
一储存节点，配置在该第三介电质上，并穿经该第二介电质与该第三介电质接触该储存节点着陆垫。


2.如权利要求1所述的半导体存储器元件，其中该插塞包含铜、钨或铝。


3.如权利要求2所述的半导体存储器元件，其中该插塞包含铜，且该储存节点着陆垫包含锗化铜。


4.如权利要求1所述的半导体存储器元件，其中该储存节点着陆垫包含铜、金、银或铝。


5.如权利要求1所述的半导体存储器元件，还包括一位元线着陆垫，位在该基底的该漏极上，其中该位元线通过该位元线着陆垫连接基底的该漏极。


6.如权利要求1所述的半导体存储器元件，其中该位元线包含铝。


7.如权利要求1所述的半导体存储器元件，其中该第一介电质、该第二介电质以及该第三介电质包含二氧化硅。


8.如权利要求7所述的半导体存储器元件，其中该第一介电质、该第二介电质以及该第三介电质包含硼磷硅玻璃。


9.如权利要求1所述的半导体存储器元件，其中该栅极结构还包括一硅化物、一多晶硅、一栅极氧化物以及一间隙子。


10.一种半导体存储器元件的制备方法，其步骤包括：
提供一基底，该基底具有一漏极、一源极以及一栅极结构，该栅极结构配置在该基底上，并位在该漏极与源极之间；
形成一第一介电质，以覆盖该基底与该栅极结构；
在该第一介电质中形成一插塞，该插塞具有一第一部位，该第一部位接触该基底的该源极；
通过该第一介电质以暴露该插塞的一第二部位；
在该插塞的暴露的该第二部位上形成一储存节点着陆垫；<...

【专利技术属性】
技术研发人员：许平，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71