半导体结构及其制备方法技术

本公开提供一种半导体结构及其制备方法。该半导体结构包括一基底，该基底具有一第一表面以及一导电线路，该导电线路延伸到该基底上；一晶粒，配置在该基底的该第一表面上；一封膜，配置在该基底的该第一表面上并覆盖该晶粒；以及一金属层，围绕该封膜与该基底设置；其中该金属层电性连接该导电线路经由该基底而暴露的至少一部分。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其制备方法
本申请案主张2018/12/27申请的美国临时申请案第62/785,504号及2019/04/17申请的美国正式申请案第16/386,816号的优先权及益处，该美国临时申请案及该美国正式申请案的内容以全文引用的方式并入本文中。本公开是涉及一种半导体结构。特别是涉及用以在半导体结构中遮蔽一晶粒或一封装的一金属涂布。再者，本公开涉及一种包括覆盖该晶粒或该封装的该半导体结构的制备方法。
技术介绍
半导体装置基本上是用于许多现代应用。随着电子科技的进步，半导体装置是持续地变得越来越小，于此同时提供较佳的功能以及包含较大的集成电路数量。由于半导体装置的小型化，实现不同功能的半导体装置的不同型态与尺寸规模，是整合(integrated)并封装(packaged)在一单一模块中。再者，执行许多制造操作以用于不同型态的半导体装置的整合(integration)。然而，半导体装置的制造(manufacturing)与整合(integration)包含许多复杂步骤(steps)与操作(operations)。在薄形(low-本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构，包括：/n一基底，具有一第一表面以及一导电线路，该导电线路延伸到该基底上；/n一晶粒，配置在该基底的该第一表面上；/n一封膜，配置在该基底的该第一表面上，并覆盖该晶粒；以及/n一金属层，围绕该封膜与该基底；/n其中该金属层电性连接该导电线路经由该基底而暴露的至少一部分。/n

【技术特征摘要】
20181227 US 62/785,504;20190417 US 16/386,8161.一种半导体结构，包括：
一基底，具有一第一表面以及一导电线路，该导电线路延伸到该基底上；
一晶粒，配置在该基底的该第一表面上；
一封膜，配置在该基底的该第一表面上，并覆盖该晶粒；以及
一金属层，围绕该封膜与该基底；
其中该金属层电性连接该导电线路经由该基底而暴露的至少一部分。


2.如权利要求1所述的半导体结构，其中该金属线路的该部分是经由该基底的一侧壁而暴露。


3.如权利要求1所述的半导体结构，其中该导电线路与该金属层连接到一电性接地。


4.如权利要求1所述的半导体结构，其中该导电线路的该部分是与该金属层接触。


5.如权利要求1所述的半导体结构，其中该金属层是与封膜的一外表面及该基底的一侧壁为共形。


6.如权利要求1所述的半导体结构，其中该晶粒是通过一粘着剂而连接到该基底的该第一表面。


7.如权利要求1所述的半导体结构，其中该晶粒通过一接合线电性连接该基底。


8.如权利要求1所述的半导体结构，还包括一导电凸块，是配置在该基底的一第二表面，该第二表面是相对该第一表面设置。


9.一种半导体结构，包括：
一基底，具有一第一表面与一导电线路，该导电线路延伸到该基底上；
一晶粒，配置在该基底的该第一表面上；
一绝缘层，配置在该基底的该第一表面上，并围绕该晶粒设置；
一金属层，配置在该绝缘层上，并围绕该晶粒设置；以...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢章群，杨吴德，陈璟锋，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71