半导体结构及其制备方法技术

本公开提供一种半导体结构及其制备方法。该半导体结构包括一基底，该基底具有一第一表面以及一导电线路，该导电线路延伸到该基底上；一晶粒，配置在该基底的该第一表面上；一封膜，配置在该基底的该第一表面上并覆盖该晶粒；以及一金属层，围绕该封膜与该基底设置；其中该金属层电性连接该导电线路经由该基底而暴露的至少一部分。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其制备方法
本申请案主张2018/12/27申请的美国临时申请案第62/785,504号及2019/04/17申请的美国正式申请案第16/386,816号的优先权及益处，该美国临时申请案及该美国正式申请案的内容以全文引用的方式并入本文中。本公开是涉及一种半导体结构。特别是涉及用以在半导体结构中遮蔽一晶粒或一封装的一金属涂布。再者，本公开涉及一种包括覆盖该晶粒或该封装的该半导体结构的制备方法。
技术介绍
半导体装置基本上是用于许多现代应用。随着电子科技的进步，半导体装置是持续地变得越来越小，于此同时提供较佳的功能以及包含较大的集成电路数量。由于半导体装置的小型化，实现不同功能的半导体装置的不同型态与尺寸规模，是整合(integrated)并封装(packaged)在一单一模块中。再者，执行许多制造操作以用于不同型态的半导体装置的整合(integration)。然而，半导体装置的制造(manufacturing)与整合(integration)包含许多复杂步骤(steps)与操作(operations)。在薄形(low-profile)与高密度(high-density)模块中的半导体装置的整合逐渐变得复杂。半导体装置的制造与整合的复杂度的增加，可造成许多缺点，例如电路短路、不良的电性互连、多个元件的层离(delamination)等等。据此，需要持续改善半导体装置的结构与制造。上文的“先前技术”说明仅是提供
技术介绍
，并未承认上文的“先前技术”说明揭示本公开的标的，不构成本公开的先前技术，且上文的“先前技术”的任何说明均不应作为本案的任一部分。
技术实现思路
本公开的一实施例提供一种在一半导体结构包括一基底，具有一第一表面以及一导电线路，该导电线路延伸到该基底上；一晶粒，配置在该基底的该第一表面上；一封膜，配置在该基底的该第一表面上，并覆盖该晶粒；以及一金属层，围绕该封膜与该基底；其中该金属层电性连接该导电线路经由该基底而暴露的至少一部分。在本公开的一些实施例中，该金属线路的该部分是经由该基底的一侧壁而暴露。在本公开的一些实施例中，该导电线路与该金属层连接到一电性接地(electricalground)。在本公开的一些实施例中，该导电线路的该部分是与该金属层接触。在本公开的一些实施例中，该金属层是与封膜的一外表面及该基底的一侧壁为共形(conformal)。在本公开的一些实施例中，该晶粒是通过一粘着剂而连接到该基底的该第一表面。在本公开的一些实施例中，该晶粒通过一接合线(bondingwire)电性连接该基底。在本公开的一些实施例中，该半导体结构还包括一导电凸块(conductivebump)，是配置在该基底的一第二表面，该第二表面是相对该第一表面设置。本公开的另一实施例提供一种半导体结构，包括一基底，具有一第一表面与一导电线路，该导电线路延伸到该基底上；一晶粒，配置在该基底的该第一表面上；一绝缘层，配置在该基底的该第一表面上，并围绕该晶粒设置；一金属层，配置在该绝缘层上，并围绕该晶粒设置；以及一封膜，配置在该基底的该第一表面上，并覆盖该晶粒；其中该金属层电性连接该导电线路经由该基底的该第一表面而暴露的至少一部分。在本公开的一些实施例中，该金属线路的该部分是经由该绝缘层而暴露。在本公开的一些实施例中，该导电线路与该金属层电性连接到一电性接地。在本公开的一些实施例中，该晶粒通过由该绝缘层所涂布的一接合线电性连接该基底。在本公开的一些实施例中，该绝缘层、该金属层以及该封膜是覆盖该晶粒。在本公开的一些实施例中，该金属层的配置是与该绝缘层共形(conformal)。本公开的另一实施例提供一种半导体结构，包括一基底，具有一第一表面与一导电线路，该导电线路延伸到该基底上；一晶粒，配置在该基底上；一绝缘层，配置在该基底的该第一表面上，并覆盖该晶粒；以及一封膜，配置在该基底的该第一表面上，并覆盖该晶粒；其中，该封膜是具导电性，并电性连接该导电线路经由该基底的该第一表面而暴露的至少一部分。在本公开的一些实施例中，该封膜具有模制化合物(moldingcompound)以及多个金属粒子(metallicparticles)。在本公开的一些实施例中，该封膜是接触该导电线路的该部分。在本公开的一些实施例中，该导电线路是经由该绝缘层而暴露。在本公开的一些实施例中，该导电线路与该封膜是电性连接一电性接地。在本公开的一些实施例中，该封膜包括多个导电粒子(conductiveparticles)。上文已相当广泛地概述本公开的技术特征及优点，使得下文的本公开详细描述得以获得较佳了解。构成本公开的权利要求标的的其它技术特征及优点将描述于下文。本公开所属
中具有通常知识者应了解，可相当容易地利用下文揭示的概念与特定实施例可作为修改或设计其它结构或制程而实现与本公开相同的目的。本公开所属
中具有通常知识者亦应了解，这类等效建构无法脱离后附的权利要求所界定的本公开的精神和范围。附图说明参阅实施方式与申请专利范围合并考量附图时，可得以更全面了解本申请案的揭示内容，附图中相同的元件符号是指相同的元件。图1为依据本公开一些实施例的一第一半导体结构的剖视示意图。图2为依据本公开一些实施例的一第二半导体结构的剖视示意图。图3为依据本公开一些实施例的一第三半导体结构的剖视示意图。图4为依据本公开一些实施例的一第四半导体结构的剖视示意图。图5为依据本公开一些实施例的一第五半导体结构的剖视示意图。图6为依据本公开一些实施例的一第六半导体结构的剖视示意图。图7为依据本公开一些实施例的一第七半导体结构的剖视示意图。图8为依据本公开一些实施例的一第一或第二半导体结构的制备方法的流程示意图。图9至图12为依据本公开一些实施例在图8中该第一或第二半导体结构的制备方法的示意图。图13为依据本公开一些实施例的一第三或第四半导体结构的制备方法的流程示意图。图14至图18为依据本公开一些实施例在图13中该第三或第四半导体结构的制备方法的示意图。图19为依据本公开一些实施例的一第五半导体结构的制备方法的流程示意图。图20至图23为依据本公开一些实施例在图19中该第五半导体结构的制备方法的示意图。图24为依据本公开一些实施例的一第六半导体结构的制备方法的流程示意图。图25至图29为依据本公开一些实施例在图24中该第六半导体结构的制备方法的示意图。图30为依据本公开一些实施例的一第七半导体结构的制备方法的流程示意图。图31至图33为依据本公开一些实施例在图30中该第七半导体结构的制备方法的示意图。其中，附图标记说明如下：100第一半导体结构101封装基板101a基底101b导电线路101c保护层...

【技术保护点】
1.一种半导体结构，包括：/n一基底，具有一第一表面以及一导电线路，该导电线路延伸到该基底上；/n一晶粒，配置在该基底的该第一表面上；/n一封膜，配置在该基底的该第一表面上，并覆盖该晶粒；以及/n一金属层，围绕该封膜与该基底；/n其中该金属层电性连接该导电线路经由该基底而暴露的至少一部分。/n

【技术特征摘要】
20181227 US 62/785,504;20190417 US 16/386,8161.一种半导体结构，包括：
一基底，具有一第一表面以及一导电线路，该导电线路延伸到该基底上；
一晶粒，配置在该基底的该第一表面上；
一封膜，配置在该基底的该第一表面上，并覆盖该晶粒；以及
一金属层，围绕该封膜与该基底；
其中该金属层电性连接该导电线路经由该基底而暴露的至少一部分。


2.如权利要求1所述的半导体结构，其中该金属线路的该部分是经由该基底的一侧壁而暴露。


3.如权利要求1所述的半导体结构，其中该导电线路与该金属层连接到一电性接地。


4.如权利要求1所述的半导体结构，其中该导电线路的该部分是与该金属层接触。


5.如权利要求1所述的半导体结构，其中该金属层是与封膜的一外表面及该基底的一侧壁为共形。


6.如权利要求1所述的半导体结构，其中该晶粒是通过一粘着剂而连接到该基底的该第一表面。


7.如权利要求1所述的半导体结构，其中该晶粒通过一接合线电性连接该基底。


8.如权利要求1所述的半导体结构，还包括一导电凸块，是配置在该基底的一第二表面，该第二表面是相对该第一表面设置。


9.一种半导体结构，包括：
一基底，具有一第一表面与一导电线路，该导电线路延伸到该基底上；
一晶粒，配置在该基底的该第一表面上；
一绝缘层，配置在该基底的该第一表面上，并围绕该晶粒设置；
一金属层，配置在该绝缘层上，并围绕该晶粒设置；以...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢章群，杨吴德，陈璟锋，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71