半导体基底及其制备方法技术

本公开提供一种半导体基底及其制备方法。该半导体基底包括：一基部、至少一平台、至少一突起、一绝缘层、一盖层以及一钝化层。该至少一平台从该基部的一上表面延伸；该至少一突起连接到该至少一平台；该绝缘层设置在该至少一突起的上方；该盖层设置在该绝缘层的上方；该钝化层设置在该至少一突起、该绝缘层和该盖层的一侧壁的上方。该钝化层包括至少一个第一膜层和至少一个第二膜层，该第一膜层和该第二膜层以交错配置布置。

【技术实现步骤摘要】
半导体基底及其制备方法相关申请的交叉引用本公开主张2018/12/27申请的美国临时申请案第62/785,366号及2019/02/21申请的美国正式申请案第16/281,485号的优先权及益处，该美国临时申请案及该美国正式申请案的内容以全文引用的方式并入本文中。
本公开涉及一种半导体结构及其制备方法，特别涉及一种半导体基底及其制备方法。
技术介绍
半导体元件和集成电路变得更加高度积集。因此，许多研究正在进行以改善这些元件和电路的特性，并且实现所期望的工艺效益。在半导体存储器元件中，随着元件的存储容量的增加，元件中图案的关键尺寸减小。因此，做为在晶圆上形成图案的光学微影工艺是在微影的过程中一个重要的部分。通常，图案化基底然后蚀刻以形成主动区域。然而，在蚀刻过程完成时，在基底和覆盖基底的垫氧化物的界面处观察到底切(undercut)，这可能在随后填充介电质的期间导致不期望的空隙。上文的“现有技术”说明仅提供
技术介绍
，并未承认上文的“现有技术”说明披露本公开的标的，不构成本公开的现有技术，且上文的“现有技术”的任何说明均不应作为本公开的任一部分。
技术实现思路
本公开提供一种半导体基底，包括：一基部、至少一平台、至少一突起、一绝缘层、一盖层以及一钝化层。该至少一平台从该基部的一上表面延伸。该至少一突起连接到该至少一平台。该绝缘层设置在该至少一突起的上方。该盖层设置在该绝缘层的上方。该钝化层设置在该至少一突起、该绝缘层和该盖层的一侧壁的上方。该钝化层包括至少一个第一膜层和至少一个第二膜层，该第一膜层和该第二膜层以交错配置布置。在一些实施例中，该钝化层的外周边与该至少一平台的一侧壁连续。在一些实施例中，该至少一突起具有一关键尺寸和一高度，该高度大于该关键尺寸的两倍。在一些实施例中，该至少一平台的一宽度在距离该基部的距离增加的位置处逐渐减小。在一些实施例中，该基部和该至少一平台之间的一夹角在90度和105度之间的范围内。在一些实施例中，该半导体基底还包括围绕该至少一平台和该钝化层的一隔离层。在一些实施例中，该隔离层的一上表面与该盖层的该顶表面共面。在一些实施例中，该基底、该至少一平台和该至少一突起一体地形成。在一些实施例中，该第一膜层和该第二膜层是原子层沉积层。本公开另提供一种半导体基底的制备方法。该制备方法包括步骤：提供一支撑基底；在该支撑基底的上方沉积一绝缘层；在该绝缘层的上方沉积一盖层；图案化该盖层和该绝缘层以形成穿透该盖层和该绝缘层的多个沟槽，并且延伸到该支撑基底中，其中剩余的该支撑基底包括一基部和连接到该基部的至少一突起；在该盖层、该绝缘层和该至少一突起的一侧壁的上方沉积一钝化层；以及通过该沟槽蚀刻该基部以在该至少一突起的下面形成至少一平台。在一些实施例中，该制备方法还包括沉积一隔离层以包围该至少一平台和该钝化层。在一些实施例中，在该盖层、该绝缘层和该至少一突起的一侧壁上沉积该钝化层包括步骤：在盖层的一顶表面的上方、在该基部的一上表面的上方，以及在该盖层、该绝缘层和该至少一突起的一侧壁上沉积该钝化层的一第一膜层；在该钝化层的该第一膜层的上方沉积一钝化层的一第二膜层；以及执行一蚀刻工艺以去除设置在该顶表面和该上表面上的该第一膜层和该第二膜层。在一些实施例中，该第一膜层和该第二膜层具有至少一个均匀的厚度。在一些实施例中，该基部的一表面与该至少一突起的一侧壁之间的夹角实质上等于90度。在一些实施例中，该盖层的该图案化以形成穿透该盖层和该绝缘层并且延伸到该支撑基底中的该多个沟槽包括步骤：在盖层上方涂覆一光刻胶层；图案化光刻胶层以形成具有多个开口的光刻胶图案；以及去除通过该开口暴露的该盖层、该绝缘层和该支撑基底的部分。利用上述半导体基底的配置，由于钝化层沉积在突起的侧壁上，因此防止了突起中的凹角底切。结果，实现了由基底的突起和平台组成的高纵横比(highaspectratio)的主动区和无空隙的隔离层。上文已相当广泛地概述本公开的技术特征及优点，从而使下文的本公开详细描述得以获得优选了解。构成本公开的保护范围标的的其它技术特征及优点将描述于下文。本公开所属
中技术人员应了解，可相当容易地利用下文披露的概念与特定实施例可作为修改或设计其它结构或工艺而实现与本公开相同的目的。本公开所属
中技术人员亦应了解，这类等效建构无法脱离本申请保护范围所界定的本公开的构思和范围。附图说明参阅实施方式与保护范围合并考量附图时，可得以更全面了解本申请的公开内容，附图中相同的元件符号是指相同的元件。图1是剖视图，例示本公开一些实施例的半导体基底。图2是流程图，例示本公开一些实施例的半导体基底的制备方法。图3至图11是剖视图，例示本公开一些实施例的半导体基底的形成阶段。附图标记说明：10半导体基底110支撑基底112基部113平台114突起120绝缘层130盖层134侧壁140钝化层142第一膜层144第二膜层150隔离层200光刻胶层202光刻胶图案204开口210第一沟槽220第二沟槽300制备方法304步骤306步骤308步骤310步骤312步骤314步骤316步骤318步骤320步骤1121表面1122上表面1132上表面1134侧壁1142侧壁1202侧壁1302侧壁1304顶表面1402外周边1422端面1442端面1502上表面CD关键尺寸D宽度H高度δ角度θ角度具体实施方式本公开的以下说明伴随并入且组成说明书的一部分的附图，说明本公开实施例，然而本公开并不受限于该实施例。此外，以下的实施例可适当整合以下实施例以完成另一实施例。“一实施例”、“实施例”、“例示实施例”、“其他实施例”、“另一实施例”等是指本公开所描述的实施例可包含特定特征、结构或是特性，然而并非每一实施例必须包含该特定特征、结构或是特性。再者，重复使用“在实施例中”一语并非必须指相同实施例，然而可为相同实施例。为了使得本公开可被完全理解，以下说明提供详细的步骤与结构。显然，本公开的实施不会限制该
中的技术人员已知的特定细节。此外，已知的结构与步骤不再详述，以免不必要地限制本公开。本公开的优选实施例详述如下。然而，除了实施方式之外，本公开亦可广泛实施于其他实施例中。本公开的范围不限于实施方式的内容，而是由本申请的保护范围定义。图1是例示本公开一些实施例的一半导体基底10。参照图1，在一些实施例中，半导体基底10包括基部112，从基部112的上表面1122延伸的多本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体基底，包括：/n一基部；/n至少一平台，从该基部的一上表面延伸；/n至少一突起，连接到该至少一平台；/n一绝缘层，设置在该至少一突起的上方；/n一盖层，设置在该绝缘层的上方；以及/n一钝化层，设置在该至少一突起、该绝缘层和该盖层的一侧壁上，其中该钝化层包括至少一个第一膜层和至少一个第二膜层，该第一膜层和该第二膜层以交错配置布置。/n

【技术特征摘要】
20181227 US 62/785,366;20190221 US 16/281,4851.一种半导体基底，包括：
一基部；
至少一平台，从该基部的一上表面延伸；
至少一突起，连接到该至少一平台；
一绝缘层，设置在该至少一突起的上方；
一盖层，设置在该绝缘层的上方；以及
一钝化层，设置在该至少一突起、该绝缘层和该盖层的一侧壁上，其中该钝化层包括至少一个第一膜层和至少一个第二膜层，该第一膜层和该第二膜层以交错配置布置。


2.如权利要求1所述的半导体基底，其中该钝化层的外周边与该至少一平台的一侧壁连续。


3.如权利要求1所述的半导体基底，其中该至少一突起具有一关键尺寸和一高度，该高度大于该关键尺寸的两倍。


4.如权利要求1所述的半导体基底，其中该至少一平台的一宽度在距离该基部的距离增加的位置处逐渐减小。


5.如权利要求4所述的半导体基底，其中该基部和该至少一平台之间的一夹角在90度和105度之间的范围内。


6.如权利要求1所述的半导体基底，还包括围绕该至少一平台和该钝化层的一隔离层。


7.如权利要求6所述的半导体基底，其中该隔离层的一上表面与该盖层的一顶表面共面。


8.如权利要求1所述的半导体基底，其中该基底、该至少一平台和该至少一突起一体地形成。


9.如权利要求1所述的半导体基底，其中该第一膜层和该第二膜层是原子层沉积层。


10....

【专利技术属性】
技术研发人员：黄至伟，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71