【技术实现步骤摘要】
封装元件及其制备方法本公开主张2018/12/27申请的美国临时申请案第62/785,412号及2019/03/21申请的美国正式申请案第16/360,662号的优先权及益处,该美国临时申请案及该美国正式申请案的内容以全文引用的方式并入本文中。
本公开涉及一种封装元件及其制备方法。特别涉及一种具有电磁干扰屏蔽的封装元件及其制备方法。
技术介绍
通过提升工艺速度及较小尺寸需求的驱动,半导体装置已逐渐变得复杂。在提升工艺速度及较小尺寸的优势是明确的同时,半导体装置的特性亦产生问题。特别是,较高的时序速度(clockspeed)会使信号电平(signallevel)转换的频率增加,以致于频率较高或波长较短的电磁辐射(electromagneticradiation)强度增加。电磁辐射可从一源半导体元件(sourcesemiconductordevice)发射而出并传播至邻近的半导体元件上。若是对邻近的半导体元件的电磁辐射强度够高的话,则电磁辐射会对(邻近的)半导体元件的操作有不利的影响。此现象有时被称为电磁干扰(elect ...
【技术保护点】
1.一种封装元件,包括:/n一支撑组件,具有复数个接地接点;/n一主元件,安装在该支撑组件上;/n一密封件,覆盖该主元件;以及/n一导电封装件,包围该密封件以及穿经该密封件而暴露的该等接地接点。/n
【技术特征摘要】
20181227 US 62/785,412;20190321 US 16/360,6621.一种封装元件,包括:
一支撑组件,具有复数个接地接点;
一主元件,安装在该支撑组件上;
一密封件,覆盖该主元件;以及
一导电封装件,包围该密封件以及穿经该密封件而暴露的该等接地接点。
2.如权利要求1所述的封装元件,其中该支撑组件包括:
一基底,其中该等接地接点设置在该基底的一前表面上与设置在该基底的一后表面上,该后表面相对该前表面设置;
复数个接地通孔,穿透该基底,并将在该前表面上的该等接地接点电性连接到在该后表面上的该等接地接点;以及
复数个焊料凸块,连接到在该后表面上的该等接地接点。
3.如权利要求2所述的封装元件,还包括至少一线路,从该主元件结合到在该支撑元件上的复数个电路图案,其中该等电路图案设置在该前表面与该后表面上,且在该前表面上的该等电路图案使用复数个直通穿孔电性连接在该后表面上的该等电路图案,而该等直通穿孔延伸穿经该前表面与该后表面。
4.如权利要求3所述的封装元件,其中当提供一接地电压给该等焊料凸块时,用于将非预期电磁辐射接地的一电性通道引入到该等焊道凸块、该等接地接点、该等接地通孔以及该导电封装件中。
5.如权利要求2所述的封装元件,其中该导电封装件具有一侧表面,与该基底的一侧壁共面。
6.如权利要求1所述的封装元件,其中该等电封装胶体包括:
一树脂结合剂;以及
复数个导电粒子,分布在该树脂结合剂中。
7.如权利要求6所述的封装元件,其中该树脂结合剂具有一熔点,低于该密封件的一熔点。
...
【专利技术属性】
技术研发人员:裴汉宁,
申请(专利权)人:南亚科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:中国台湾;71
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