半导体结构及其制备方法技术

本公开提供一种半导体结构及其制备方法。该半导体结构包括一半导体基底、一气隙区、一覆盖层以及一绝缘层。该气隙区配置在该半导体基底中。该覆盖层配置在该气隙区上。该绝缘层配置在该半导体基底上，且部分地环绕该覆盖层。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其制备方法
本公开主张2018/12/27申请的美国临时申请案第62/785,397号及2019/03/25申请的美国正式申请案第16/363,374号的优先权及益处，该美国临时申请案及该美国正式申请案的内容以全文引用的方式并入本文中。本公开涉及一种半导体结构及其制备方法。特别涉及一种具有气隙区的半导体结构及其制备方法。
技术介绍
二维的方式已应用在传统的集成电路构装(ICintegration)上。新款集成电路封装可满足消费者市场的需求，例如增加功能性以及具有缩小尺寸与降低成本的优势，而对于新款集成电路封装的持续需求已驱使半导体产业进行发展更创新的封装技术，如使用垂直的三维集成电路构装(vertical,three-dimensionalintegration)。三维封装技术的一般优点，包括尺寸架构微型化(formfactorminiaturization)(即缩小尺寸与减少重量)、在一单一封装中构装异质技术(heterogeneoustechnologies)、以短且垂直互连(interconnects)取代冗长本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构，包括：/n一半导体基底；/n一气隙区，配置在该半导体基底中；/n一覆盖层，配置在该气隙区上；以及/n一绝缘层，配置在该半导体基底中，且部分地环绕该覆盖层。/n

【技术特征摘要】
20181227 US 62/785,397;20190325 US 16/363,3741.一种半导体结构，包括：
一半导体基底；
一气隙区，配置在该半导体基底中；
一覆盖层，配置在该气隙区上；以及
一绝缘层，配置在该半导体基底中，且部分地环绕该覆盖层。


2.如权利要求1所述的半导体结构，其中该气隙区具有一直径，该直径朝远离该覆盖层的方向递减。


3.如权利要求1所述的半导体结构，其中该覆盖层的一部分接触该半导体基底。


4.如权利要求1所述的半导体结构，其中该半导体基底界定有一底部、一上部以及一中间部，该覆盖层配置在该上部上，该中间部夹置在该底部与该上部之间，以及该气隙区的一顶边界高于在上部与该中间部的接合面，而该顶边界是位在该覆盖层未接触该半导体基底处。


5.如权利要求4所述的半导体结构，其中该上部具有一高度，介于10μm至15μm之间，且该中间部具有一高度，介于40μm至50μm之间。


6.如权利要求1所述的半导体结构，其中该绝缘层是从该覆盖层的相对两侧连接该覆盖层。


7.如权利要求1所述的半导体结构，其中该绝缘层从平面视图来看，具有一均匀厚度。


8.如权利要求1所述的半导体结构，其中该覆盖层包括一周表面，且该周表面与该绝缘层相接合的一部分的一面积，大致地大于该周表面与该半导体基底相接合的一部分的一面积。


9.一种半导体结构的制备方法，包括：
提供一半导体基底；
在该半导体基底中形成一阶层开口；
在该阶层开口沉积一牺牲材料，其中该半导体基底的一部分穿经该牺牲材料而暴露；
在该牺牲材料...

【专利技术属性】
技术研发人员：丘世仰，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71