【技术实现步骤摘要】
鳍式场效晶体管结构及其制造方法本申请案主张2018/12/27申请的美国临时申请案第62/785,418号及2019/04/05申请的美国正式申请案第16/376,578号的优先权及益处，该美国临时申请案及该美国正式申请案的内容以全文引用的方式并入本文中。
本公开涉及一种鳍式场效晶体管结构及其制造方法。尤其涉及一种具有不同通道长度的鳍式场效晶体管结构及其制造方法。
技术介绍
半导体装置基本上用于许多现代化的应用。伴随着电子科技的进化，半导体装置在持续变小的同时，提供较佳的功能性，并包括较大数量的集成电路(integratedcircuits)。由于半导体装置的小型化尺寸，鳍式结构(finstructures)广泛地使用在场效晶体管(field-effecttransistors)。目前已提供一传统的鳍式场效晶体管(FinFET)结构。所述的场效晶体管结构包括一半导体基底(semiconductorsubstrate)以及多个鳍件(fins)，鳍件朝远离半导体基底的方向延伸。然而，各鳍件具有相同的通道长度(ch...
【技术保护点】
1.一种鳍式场效晶体管结构，包括：/n一第一鳍件，位于一第一基部上，该第一鳍件具有一第一通道区域，其中该第一通道区域具有一第一通道长度；以及/n一第二鳍件，位于一第二基部上，该第二鳍件具有一第二通道区域，其中该第二通道区域具有一第二通道长度，且该第二通道长度不同于该第一通道长度。/n
【技术特征摘要】
20181227 US 62/785,418;20190405 US 16/376,5781.一种鳍式场效晶体管结构，包括：
一第一鳍件，位于一第一基部上，该第一鳍件具有一第一通道区域，其中该第一通道区域具有一第一通道长度；以及
一第二鳍件，位于一第二基部上，该第二鳍件具有一第二通道区域，其中该第二通道区域具有一第二通道长度，且该第二通道长度不同于该第一通道长度。
2.如权利要求1所述的鳍式场效晶体管结构，还包括一半导体基底，其中该半导体基底包含该第一基部及该第二基部。
3.如权利要求2所述的鳍式场效晶体管结构，其中该第一鳍件从该半导体基底以一第一方向突伸，该第一通道长度沿着与该第一方向正交的一第二方向进行测量，该第二鳍件从该半导体基底以该第一方向突伸，且该第二通道区域所具有的该第二通道长度，沿着该第二方向所测量。
4.如权利要求3所述的鳍式场效晶体管结构，其中该第一鳍件包括一第一底部以及一第一顶部，该第一底部埋设在位于该第一基部上的一第一绝缘层内，该第一顶部位于该第一底部上，该第二鳍件包括一第二底部及一第一顶部，该第二底部埋设在位于该第二基部上的一第二绝缘层内，该第二顶部位于该第二底部上，该第一顶部包含该第一通道区域，且该第二顶部包含该第二通道区域。
5.如权利要求4所述的鳍式场效晶体管结构，其中该第一顶部具有一第一漏极区域、一第一源极区域以及该第一通道区域，该第一通道区域位于该漏极区域与该源极区域之间，而该第一漏极区域、该第一通道区域以及该源极区域沿着该第二方向配置。
6.如权利要求5所述的鳍式场效晶体管结构，其中该第一顶部的该第一通道区域具有一第一通道宽度，该第一通道宽度沿着垂直正交于该第二方向与该第一方向的一第三方向进行测量，该第一鳍件的该第一漏极区域及该第一源极区域具有一第一顶端宽度，而该第一通道宽度不同于该第一顶端宽度。
7.如权利要求6所述的鳍式场效晶体管结构，其中该第一通道宽度小于该第一顶端宽度。
8.如权利要求6所述的鳍式场效晶体管结构，其中该第一底部具有沿着该第三方向的一第一底端宽度，该第一通道宽度小于该第一底端宽度。
9.如权利要求2所述的鳍式场效晶体管结构，其中该第一鳍件与该第二鳍件与该半导体基底为一体成型的单片。
10.如权利要求2所述的鳍式场效晶体管结构，还包括一第一栅极及一第二栅极，该第一栅极覆盖在该第一通道区域上，该第二栅极覆盖在该第二通道区域上。
11.一种...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴俊亨，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
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