一种具有高驱动力、高效率和低法向力的直线马达，包括两个相对磁体轨道１１、１２和电枢１３，电枢包括三个开路线圈组。直线马达可以用于在光刻投影设备中驱动一工作台，特别是掩模台。

一种光刻投影设备，包括一洛伦兹致动器，它包括与至少一个冷却元件热接触的线圈装置。一个或更多个槽被设置在所述冷却元件内，所述槽被设置成可增加涡流路径的电阻。由于场线圈中的电消耗，洛伦兹致动器产生热。由于通过线圈的磁场改变，会在冷却元件中感...

一种用于相移掩模的嵌入式蚀刻阻止层。衰减相移掩模和交替相移掩模通过在掩模上图案的相邻特征之间透射的辐射中引入相移来提高装置的分辨率。相移掩模具有一个可蚀刻的无机材料层。该无机材料层形成在具有玻璃或石英层和蚀刻阻止层的掩模坯体上。由于蚀刻...

一种从光刻投射装置的组件表面的至少一部分上除去污染的清洗系统，包括：　　　　用于在所述表面附近提供清洗粒子的清洗粒子供给装置，清洗粒子供给装置包括用于产生电场的电场发生器。

在基底上用于所述基底光学对准的标记结构，所述标记结构包括多个第一结构元件和多个第二结构元件，　　　　在使用所述标记结构中，用于提供所述的光学对准，根据　　　　－设置直接照射在所述标记结构上的至少一个光束，　　　　－用传感器检测来自所述标...

本发明涉及一种光刻投影设备，其具有用于支撑和移动物体如基底（Ｗ），的支撑结构。该支撑结构可以是一机器人（８）。机器人（８）具有机械手（１０），其配有用于支撑例如基底（Ｗ）的支撑架（１８）。支撑架（１８）具有一个或更多的夹子（２０、２２、...

在扫描曝光中，短行程模块以比长行程模块更大的加速度加速掩模或基底台。该短行程模块开始于其移动范围的一个极限位置处或靠近其移动范围的一个极限位置处，且在扫描期间赶上该长行程模块。该长行程模块较早开始减速，但是该短行程模块减速更快，以使该短...

用于给器件层提供图案的光刻双曝光处理方法，包括以下步骤：在第一和第二次曝光步骤前，将第一掩模图案（３１）和第二掩模图案（３２）扩大预选扩张距离，抗蚀剂处理基底的已曝光辐射敏感层以提供相应于所述图案的抗蚀剂已处理特征，借此每个抗蚀剂已处理...

光刻投影设备包括：提供辐射投射光束的辐射源；支撑图案形成装置的支撑结构，该图案形成装置用于根据所需图案使投射光束形成图案；保持基底的基底台；将带图案的光束投射到基底靶部上的投影系统；该辐射源进一步包括：调节该辐射束的照明系统，以提供调节...

一种厚薄膜被允许具有不平坦的外形并且其外形被特性化以计算用于曝光中的校正量，来补偿所述薄膜的光学效果。所述薄膜可以被设置得采用重力作用下的一维外形，以便更容易地进行补偿。

一种光刻装置，其中将位于投影装置（ＰＬ）之下的基底表面的局部区域浸入液体中。使用致动器（３１４）可以改变基底（Ｗ）的表面之上的液体供给装置（３１０）的高度。控制装置将前馈或回馈控制用于基底（Ｗ）的表面高度的输入，以将液体供给装置（３１０...

一种光刻投影装置，包括：用于提供辐射投影光束的辐射系统；用于支撑构图装置的支撑结构，所述构图装置用于根据所需的图案对投影光束进行构图；用于保持基底的基底保持器，所述基底保持器配有提供夹持力的装置，用于将基底压靠在基底保持器上；用于抵抗所...

一种补偿前到后侧对准光学装置的变形的方法，其中计算基底标记的估计位置和基底标记的实际位置之间的位移矢量。还通过将参考基底移动一段固定量计算出光学校正阵列，并比较参考基底后侧上点的像的移动距离和基底前侧上相应点的移动距离。然后位移矢量和光...

本发明公开一种在晶片加工过程中监控基底晶片的变形的系统。在每次曝光和加工步骤之后通过将多个参考标记（２０）的位置与数据库中的值进行比较来测量基底晶片的变形。

光刻投影装置，包括保护内部免受碰撞破坏的碰撞保护装置。该碰撞保护装置，可包括至少一个阻尼器，该阻尼器利用制动力和／或吸收碰撞力，以减小或消除对于精密和昂贵部件的损坏，该碰撞保护装置还能监控运动部件的位置和速度来测定碰撞可能发生的时间。

一种光刻投影装置，包括：用于提供辐射投射光束的辐射系统；用于支撑构图装置的支撑结构，该构图装置用于根据所需图案对投射光束进行构图；包括多个突起的基底保持器，多个突起的末端限定了用于支撑基本上平坦的基底的基本上平坦的支撑平面，所述基底保持...

控制系统、光刻装置、器件制造方法以及由此制造的器件用于定位装置（１０）的控制系统包括ＰＩＤ型控制器（４），或者连接在反馈回路中的其他元件。控制器根据电流所需值Ｉ↓［ｓ］和电流测得值Ｉ↓［ｍ］之间的误差来计算供给定位装置（１０）的电流。该...

一种光刻投射装置包括用于将带图案的光束投射到基底的靶部上的投射系统。该投射系统包括一个或多个光学致动镜和特殊定位以阻隔到达或来自该镜和／其支撑结构的热辐射。该热护罩可被有效冷却并且该多个镜和多个镜护罩分别被支撑在支撑框架上以减少由于致动...

本发明公开了一种光刻投影装置，在该装置中投影系统的最后元件和传感器之间的空间填充有液体。

提供一种光刻装置，其中曝光通过穿过具有ｐＨ小于７的水溶液投影进行，溶液与待曝光的基底接触，水溶液有利的是一种抗反射外涂层溶液。