一种镀膜承载盘及镀膜设备制造技术

本实用新型专利技术涉及一种镀膜承载盘及其镀膜设备，在晶片的边缘特定区域镀制磁吸附性物质形成磁吸性区，并且在镀膜承载盘放置晶片的开口的内缘设置磁性块，以及在磁性块对应位置设置Z型磁性支撑架，晶片放置在Z型磁性支撑架上，并且其与晶片磁吸附性区接触位置产生磁吸现象，通过磁性吸附晶片将其固定于承载盘上，并同时通过磁性吸附使翘曲晶片变平，防止镀源蒸镀到晶片的正面。

【技术实现步骤摘要】
一种镀膜承载盘及镀膜设备
本技术属于半导体设备领域，尤其涉及一种镀膜承载盘及其镀膜设备。
技术介绍
发光二极管（英文为LightEmittingDiode，简称为LED）由于其具有寿命长、耗能低等优点，广泛应用于显示屏、室内外照明、车灯、可见光通信、植物照明等各种领域。尤其随着其照明性能指标的日益提高，LED正逐步替代传统白炽灯照明工具。为进一步提升LED芯片亮度，通常在晶片减薄后在其背面通过真空镀膜镀制分布布拉格反射镜（简称为DBR），将射入晶片背面的光反射返回正面，从而提高LED的出光效率。镀制分布布拉格反射镜时，需将减薄后的晶片放入镀环内，而经减薄后的晶片由于应力问题会存在一定程度的翘曲，因此需再使用陪片或压盖将减薄后有翘曲的芯片压平，之后再放入DBR镀锅内进行镀制DBR。使用陪片或压盖将减薄后有翘曲的晶片片压平的目的是避免片源因翘曲造成晶片边缘与镀环存在空隙，从而在镀膜过程中发生镀到正面的异常。而使用的压盖/陪片，存在较多不足。如使用陪片或压盖，人员在放置陪片（报废片/玻璃片）时会存在电极刮伤/人为力度过大压破片等，造成良率损失。
技术实现思路
为解决以上问题，避免使用陪片或压盖压平晶片，本技术提供一种镀膜承载盘，用于放置具有磁吸附性区的晶片，至少包括一盘体，所述盘体上具有复数个放置晶片的开口，其特征在于：所述开口内缘设置有磁性环，所述承载盘还具有磁性承载架，所述磁性承载架承载晶片，一端与磁性环的上表面接触，另一端与晶片的磁吸附性区接触。优选的，所述磁性承载架横截面呈Z型。优选的，所述磁性环为一体的环形结构或者由多个磁性块围绕而成的环形结构。优选的，所述磁性承载架为一体的环形结构或者由多个子磁性承载架围绕而成的环形结构。优选的，所述晶片的磁吸附性区为一体的环形区域或者由多个子磁吸附性区围绕而成的环形区域。优选的，所述磁性块与盘体一体成型或者为可拆卸结构。优选的，所述磁性块与开口内侧壁通过卡槽固定。优选的，所述晶片为平片或者具有翘曲的晶片。本技术还提供一种镀膜设备，其特征在于：至少包括上述的任意一项的镀膜承载盘。本技术在晶片的边缘特定区域镀制磁吸附性物质形成磁吸附性区，并且在镀膜承载盘放置晶片的开口的内缘设置磁性块，以及在磁性块对应位置设置Z型磁性支撑架，晶片放置在Z型磁性支撑架上，并且支撑架与晶片磁吸附性区域接触位置产生磁吸现象，通过磁性吸附晶片将其固定于承载盘上，并同时通过磁性吸附使翘曲晶片变平，防止镀源蒸镀到晶片的正面。附图说明图1为本技术之镀膜承载盘之俯视结构示意图。图2为本技术之晶片俯视结构示意图。图3为本技术之承载盘和晶片部分界面结构示意图。图4为本技术之实施例1之磁性环和磁性承载架俯视结构示意图。图5为本技术之实施例2之磁性环和磁性承载架俯视结构示意图。其中，10.盘体；11.开口；20.磁性环；21.磁性块；30.磁性承载架；31.子磁性承载架；S.晶片；S1.磁吸附性区；S11.子磁吸附性区。以下结合附图和具体实施例对本技术进行详细说明。需说明的是，本技术的附图均采用非常简化的非精准比例，仅用以方便、明晰的辅助说明本技术。具体实施方式参看附图1，本技术提供一种镀膜承载盘，本技术提供一种镀膜承载盘，用于放置具有磁吸附性区S1的晶片S（如图2所示），至少包括一盘体10，盘体10上具有复数个放置晶片S的开口11，开口11内缘设置有磁性环20，承载盘还具有磁性承载架30，磁性承载架30承载晶片S，其一端与磁性环20的上表面接触，另一端与晶片的磁吸附性区S1接触，其接触区域均通过磁性吸附。晶片S的磁吸附性区S1为在制备晶片S时镀制磁吸附性金属形成，磁吸附性金属例如为铁、钴、镍等金属物质。参看附图3，磁性承载架30横截面呈Z型，其上端的水平部搭载于磁性环20上表面，也可以延伸至盘体10表面，下端的水平部承载晶片S。磁性环20与盘体10可以一体成型或者为可拆卸结构，当其为可拆卸结构时，磁性环20与开口11内侧壁可以通过卡槽固定。晶片S可以为平片或者具有翘曲的晶片，本技术尤其对具有翘曲的晶片S更具优势。磁性环20为一体的环形结构或者由多个磁性块21围绕而成的环形结构。磁性承载架30为一体的环形结构或者由多个子磁性承载架31围绕而成的环形结构。晶片S的磁吸附性区S1为一体的环形区域或者由多个子磁吸附性区S11围绕而成的环形区域。晶片S的磁吸附性区S1面积较大时，会减小晶片的有效使用面积，降低晶粒的数量，因此晶片S上的磁吸附性区S1面积越小越好，只要其可以与磁性承载架30接触并通过磁性吸附即可，本实施例优选在晶片S的边缘设置多个子磁吸附区S11，优选为6个子磁吸附区S11，其形状可以为方形、圆形、三角形等形状，本技术对此并不作特别限制，只要可以减小磁吸附性区S1的面积即可，本实施例优选三角形。参看附图4，本实施例中，磁性环20和磁性承载架30均为一体的环形结构。两者之间的接触面积较大，可以增加磁吸附性，防止磁性支撑架30或者晶片S在镀膜过程中掉落。实施例2参看附图5，本实施例中，磁性环20由多个磁性块21围绕而成，磁性承载架30由多个子磁性承载架31围绕而成，两者的数目一致，并且与晶片S上的子磁吸附性区S11数目一致。子磁性承载架31与晶片S接触的一端，其形状可以与子磁吸附性区S11相同，优选为三角形。在本实施例的变形实施例中，磁性环20、磁性承载架30和晶片S的磁吸附性区S1的结构和形状可以自由组合，只要实现通过磁性将晶片S吸附在盘体上即可。本技术在晶片S的边缘特定区域镀制磁吸附性物质形成磁吸附性区域S1，并且在镀膜承载盘放置晶片S的开口11的内缘设置磁性环20，以及在磁性环20对应位置设置Z型磁性承载架30，晶片S放置在Z型磁性支撑架30上，并且其与晶片磁吸附性区S1接触位置产生磁吸现象，通过磁性吸附晶片S将其固定于承载盘上，并同时通过磁性吸附使翘曲晶片变平，防止镀源蒸镀到晶片的正面。实施例3本实施例中提供了一种镀膜设备（图中未示出），其包括上述的任意一种镀膜承载盘，用于对晶片S背面进行反射膜的镀制，反射膜可以是金属反射膜，也可以是分布布拉格反射膜，从而将射入晶片S背面的光反射返回正面，以进一步提高晶片S的出光效率。应当理解的是，上述具体实施方案为本技术的优选实施例，本技术的范围不限于该实施例，凡依本技术所做的任何变更，皆属本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种镀膜承载盘，用于放置具有磁吸附性区的晶片，至少包括一盘体，所述盘体上具有复数个放置晶片的开口，其特征在于：所述开口内缘设置有磁性环，所述承载盘还具有磁性承载架，所述磁性承载架承载晶片，一端与磁性环的上表面接触，另一端与晶片的磁吸附性区接触。

【技术特征摘要】
1.一种镀膜承载盘，用于放置具有磁吸附性区的晶片，至少包括一盘体，所述盘体上具有复数个放置晶片的开口，其特征在于：所述开口内缘设置有磁性环，所述承载盘还具有磁性承载架，所述磁性承载架承载晶片，一端与磁性环的上表面接触，另一端与晶片的磁吸附性区接触。2.根据权利要求1所述的一种镀膜承载盘,其特征在于：所述磁性承载架横截面呈Z型。3.根据权利要求1所述的一种镀膜承载盘,其特征在于：所述磁性环为一体的环形结构或者由多个磁性块围绕而成的环形结构。4.根据权利要求1所述的一种镀膜承载盘,其特征在于：所述磁性承载架为一体的环...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯克耀，俞宽，杨丽莉，蔡家豪，邱智中，蔡吉明，
申请(专利权)人：安徽三安光电有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽,34