一种集热膜的真空镀膜设备制造技术

本实用新型专利技术涉及真空镀膜设备的领域，提供了集热膜的真空镀膜设备，包括腔体，腔体具有密闭腔室，腔室中设有滚筒组、卷绕于滚筒组上的基片箔膜以及与基片箔膜相对设置的弧源，弧源包括阴极和阳极，阴极上设有用于朝基片箔膜溅射金属等离子体的靶材，腔室连接有用于控制弧源电流的控制箱、用于对腔室抽真空的抽空装置和用于往腔室内通入氩气、氧气及氮气的混合气体的储气装置。上述集热膜的真空镀膜设备，通过对腔室内氩气、氧气及氮气的混合气体流量、基片箔膜的移动线速度、弧源的电流和基片箔膜的负偏电压进行调节，使金属等离子体于基片箔膜上均匀沉积，并形成集热膜。因此，其集热膜与基片箔膜的结合强度高，沉积速率高，集热效率高。

【技术实现步骤摘要】

本技术属于真空镀膜设备的领域，尤其涉及集热膜的真空镀膜设备。
技术介绍
集热类产品是一种能够利用太阳能进行光热转换的产品，其一般包括基片箔膜及设于基片箔膜上的集热膜。其中，集热膜通常采用喷涂或者涂刷的方式设置于基片箔膜上。以基片箔膜上焊接有水管的集热类产品为例，工作时，当阳光照射到集热膜后，由于光热转换作用，集热膜层获得热能，再传递给基片箔膜，使基片箔膜和水管温度升高，水管内的水将会带走热量，以完成热交换。但是，该集热类产品仍然存在这样的问题：集热膜采用喷涂或涂刷的方式设于基片箔膜上，其集热膜与基片箔膜的结合强度低，集热膜于基片箔膜上的沉积速率低，集热效率低。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种集热膜的真空镀膜设备，旨在解决现有镀膜方式所存在的集热膜与基片箔膜的结合强度低、沉积速率低和集热效率低的问题。为解决上述技术问题，本技术提供了集热膜的真空镀膜设备，包括腔体，所述腔体具有密闭腔室，所述腔室中设有滚筒组、卷绕于所述滚筒组上的基片箔膜以及与所述基片箔膜相对设置的弧源，所述弧源包括阴极和阳极，所述阴极上设有用于朝所述基片箔膜溅射金属等离子体的靶材，所述腔室连接有用于控制所述弧源电流的控制箱、用于对所述腔室抽真空的抽空装置和用于往所述腔室内通入氩气、氧气及氮气的混合气体的储气装置。进一步地，所述滚筒组包括放料筒、收料筒及设于所述放料筒和所述收料筒之间的中间卷筒，所述基片箔膜依序沿所述放料筒、所述中间卷筒及所述收料筒卷绕传动。进一步地，所述基片箔膜具有卷绕于所述中间卷筒的弧段，与所述弧段相对的位置上设有用于产生磁场以使所述金属等离子体均匀溅射于所述弧段上的磁性元件。进一步地，所述磁性元件成对设置于所述弧段两侧且位于所述弧段的中心线上。进一步地，所述靶材与所述弧段相对设置且位于所述弧段的中心线上。进一步地，所述腔室中设有用于监视所述金属等离子体在所述基片箔膜上沉积均匀度的视频监控器。进一步地，所述腔室中设有用于测量所述金属等离子体于所述基片箔膜上的附着厚度的台阶仪。进一步地，所述储气装置包括用于储存氩气的第一储气罐、用于储存氧气的第二储气罐及用于储存氮气的第三储气罐，所述第一储气罐、所述第二储气罐及所述第三储气罐分别通过管道与所述腔室相通。进一步地，所述管道上设有气体控制阀。进一步地，所述抽空装置为真空泵。本技术提供的显示装置的有益效果：上述集热膜的真空镀膜设备，将基片箔膜、滚筒组和弧源设置于密闭腔室内。弧源包括阴极和阳极，将靶材安装于阴极上。弧源通过阴极和阳极之间的弧光放电，促使阴极上的靶材熔化，并溅射金属等离子体。膜层镀制时，先采用抽空装置对腔室抽真空，以确保腔室呈真空状态，接着，往腔室内通入氩气、氧气及氮气的混合气体，通气后，驱使滚筒组匀速转动，使得基片箔膜匀速传动，最后，给弧源通电，并给基片箔膜施加负偏电压，至此，完成膜层的镀制。综上所述，上述集热膜的真空镀膜设备，在密闭腔室内，将靶材设置于弧源的阴极上，使靶材朝基片箔膜溅射金属等离子体，并对腔室内金属等离子体的溅射条件进行调节，例如，对腔室内氩气、氧气及氮气的混合气体流量、基片箔膜的移动线速度、弧源的电流和基片箔膜的负偏电压进行调节，使得金属等离子体于基片箔膜上均匀沉积，并形成集热膜。因此，相比较现有技术而言，采用集热膜的真空镀膜设备，于基片箔膜上镀制集热膜，其集热膜与基片箔膜的结合强度高，集热膜于基片箔膜上的沉积速率高，集热效率高。附图说明图1是本技术实施例提供的集热膜的真空镀膜设备的结构示意图；图2是本技术实施例提供的集热膜的真空镀膜设备的另一结构示意图。具体实施方式为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。如图1～2所示，为本技术提供的较佳实施例。需要说明的是，当部件被称为“固定于”或“设置于”另一个部件，它可以直接在另一个部件上或者可能同时存在居中部件。当一个部件被称为是“连接于”另一个部件，它可以是直接连接到另一个部件或者可能同时存在居中部件。还需要说明的是，本实施例中的左、右、上、下等方位用语，仅是互为相对概念或是以产品的正常使用状态为参考的，而不应该认为是具有限制性的。如图1和图2所示，本实施例提供了集热膜的真空镀膜设备10，包括腔体11，腔体11具有密闭腔室111，腔室111中设有滚筒组12、卷绕于滚筒组12上的基片箔膜13以及与基片箔膜13相对设置的弧源14，弧源14包括阴极和阳极，阴极上设有用于朝基片箔膜13溅射金属等离子体的靶材15，腔室111连接有用于控制弧源14电流的控制箱16、用于对腔室111抽真空的抽空装置17和用于往腔室111内通入氩气、氧气及氮气的混合气体的储气装置18。上述集热膜的真空镀膜设备10，将基片箔膜13、滚筒组12和弧源14设置于密闭腔室111内。弧源14包括阴极和阳极，将靶材15安装于阴极上。弧源14通过阴极和阳极之间的弧光放电，促使阴极上的靶材15熔化，并溅射金属等离子体。膜层镀制时，先采用抽空装置17对腔室111抽真空，以确保腔室111呈真空状态，接着，往腔室111内通入氩气、氧气及氮气的混合气体，通气后，驱使滚筒组12匀速转动，使得基片箔膜13匀速传动，最后，给弧源14通电，并给基片箔膜13施加负偏电压19，至此，完成膜层的镀制。综上所述，上述集热膜的真空镀膜设备10，在密闭腔室111内，将靶材15设置于弧源14的阴极上，使靶材15朝基片箔膜13溅射金属等离子体，并对腔室111内金属等离子体的溅射条件进行调节，例如，对腔室111内氩气、氧气及氮气的混合气体流量、基片箔膜13的移动线速度、弧源14的电流和基片箔膜13的负偏电压19进行调节，使得金属等离子体于基片箔膜13上均匀沉积，并形成集热膜。因此，相比较现有技术而言，采用集热膜的真空镀膜设备10，于基片箔膜13上镀制集热膜，其集热膜与基片箔膜13的结合强度高，集热膜于基片箔膜13上的沉积速率高，集热效率高。当然，腔体11的数量可设为多个，每个腔体11的腔室111内都设有弧源14和靶材15，且与抽空装置17和储气装置18连接，基片箔膜13在滚筒组12的传动下，依次经过每个腔室111，每个腔室111都可于基片箔膜13上镀制一层膜，本文档来自技高网...

【技术保护点】
集热膜的真空镀膜设备，其特征在于，包括腔体，所述腔体具有密闭腔室，所述腔室中设有滚筒组、卷绕于所述滚筒组上的基片箔膜以及与所述基片箔膜相对设置的弧源，所述弧源包括阴极和阳极，所述阴极上设有用于朝所述基片箔膜溅射金属等离子体的靶材，所述腔室连接有用于控制所述弧源电流的控制箱、用于对所述腔室抽真空的抽空装置和用于往所述腔室内通入氩气、氧气及氮气的混合气体的储气装置。

【技术特征摘要】
1.集热膜的真空镀膜设备，其特征在于，包括腔体，所述腔体具有密闭腔
室，所述腔室中设有滚筒组、卷绕于所述滚筒组上的基片箔膜以及与所述基片
箔膜相对设置的弧源，所述弧源包括阴极和阳极，所述阴极上设有用于朝所述
基片箔膜溅射金属等离子体的靶材，所述腔室连接有用于控制所述弧源电流的
控制箱、用于对所述腔室抽真空的抽空装置和用于往所述腔室内通入氩气、氧
气及氮气的混合气体的储气装置。
2.如权利要求1所述的集热膜的真空镀膜设备，其特征在于，所述滚筒组
包括放料筒、收料筒及设于所述放料筒和所述收料筒之间的中间卷筒，所述基
片箔膜依序沿所述放料筒、所述中间卷筒及所述收料筒卷绕传动。
3.如权利要求2所述的集热膜的真空镀膜设备，其特征在于，所述基片箔
膜具有卷绕于所述中间卷筒的弧段，与所述弧段相对的位置上设有用于产生磁
场以使所述金属等离子体均匀溅射于所述弧段上的磁性元件。
4.如权利要求3所述的集热膜的真空镀膜设备，其特征在于，所述磁性元
件成对设置于所述弧段两...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈五奎，刘强，黄振华，李洁凤，
申请(专利权)人：深圳市拓日新能源科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44