一种集热膜的真空镀膜设备制造技术

本实用新型专利技术涉及真空镀膜设备的领域，提供了集热膜的真空镀膜设备，包括腔体，腔体具有密闭腔室，腔室中设有滚筒组、卷绕于滚筒组上的基片箔膜以及与基片箔膜相对设置的弧源，弧源包括阴极和阳极，阴极上设有用于朝基片箔膜溅射金属等离子体的靶材，腔室连接有用于控制弧源电流的控制箱、用于对腔室抽真空的抽空装置和用于往腔室内通入氩气、氧气及氮气的混合气体的储气装置。上述集热膜的真空镀膜设备，通过对腔室内氩气、氧气及氮气的混合气体流量、基片箔膜的移动线速度、弧源的电流和基片箔膜的负偏电压进行调节，使金属等离子体于基片箔膜上均匀沉积，并形成集热膜。因此，其集热膜与基片箔膜的结合强度高，沉积速率高，集热效率高。

【技术实现步骤摘要】

本技术属于真空镀膜设备的领域，尤其涉及集热膜的真空镀膜设备。
技术介绍
集热类产品是一种能够利用太阳能进行光热转换的产品，其一般包括基片箔膜及设于基片箔膜上的集热膜。其中，集热膜通常采用喷涂或者涂刷的方式设置于基片箔膜上。以基片箔膜上焊接有水管的集热类产品为例，工作时，当阳光照射到集热膜后，由于光热转换作用，集热膜层获得热能，再传递给基片箔膜，使基片箔膜和水管温度升高，水管内的水将会带走热量，以完成热交换。但是，该集热类产品仍然存在这样的问题：集热膜采用喷涂或涂刷的方式设于基片箔膜上，其集热膜与基片箔膜的结合强度低，集热膜于基片箔膜上的沉积速率低，集热效率低。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种集热膜的真空镀膜设备，旨在解决现有镀膜方式所存在的集热膜与基片箔膜的结合强度低、沉积速率低和集热效率低的问题。为解决上述技术问题，本技术提供了集热膜的真空镀膜设备，包括腔体，所述腔体具有密闭腔室，所述腔室中设有滚筒组、卷绕于所述滚筒组上的基片箔膜以及与所述基片箔本文档来自技高网...

【技术保护点】
集热膜的真空镀膜设备，其特征在于，包括腔体，所述腔体具有密闭腔室，所述腔室中设有滚筒组、卷绕于所述滚筒组上的基片箔膜以及与所述基片箔膜相对设置的弧源，所述弧源包括阴极和阳极，所述阴极上设有用于朝所述基片箔膜溅射金属等离子体的靶材，所述腔室连接有用于控制所述弧源电流的控制箱、用于对所述腔室抽真空的抽空装置和用于往所述腔室内通入氩气、氧气及氮气的混合气体的储气装置。

【技术特征摘要】
1.集热膜的真空镀膜设备，其特征在于，包括腔体，所述腔体具有密闭腔
室，所述腔室中设有滚筒组、卷绕于所述滚筒组上的基片箔膜以及与所述基片
箔膜相对设置的弧源，所述弧源包括阴极和阳极，所述阴极上设有用于朝所述
基片箔膜溅射金属等离子体的靶材，所述腔室连接有用于控制所述弧源电流的
控制箱、用于对所述腔室抽真空的抽空装置和用于往所述腔室内通入氩气、氧
气及氮气的混合气体的储气装置。
2.如权利要求1所述的集热膜的真空镀膜设备，其特征在于，所述滚筒组
包括放料筒、收料筒及设于所述放料筒和所述收料筒之间的中间卷筒，所述基
片箔膜依序沿所述放料筒、所述中间卷筒及所述收料筒卷绕传动。
3.如权利要求2所述的集热膜的真空镀膜设备，其特征在于，所述基片箔
膜具有卷绕于所述中间卷筒的弧段，与所述弧段相对的位置上设有用于产生磁
场以使所述金属等离子体均匀溅射于所述弧段上的磁性元件。
4.如权利要求3所述的集热膜的真空镀膜设备，其特征在于，所述磁性元
件成对设置于所述弧段两...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈五奎，刘强，黄振华，李洁凤，
申请(专利权)人：深圳市拓日新能源科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44