具有增强型容纳的衬底容器制造技术

可通过射出模制金属浆料而形成用于半导体制造工业中的衬底容器及/或其部分。更特定来说，可通过射出模制含有镁或镁合金的金属浆料而形成此类衬底容器及/或其部分。与相当的由基于聚合物的材料形成的衬底载体相比，其中衬底容器的至少一部分由含有镁或镁合金的金属浆料射出模制而成的所述衬底容器可展现对湿气及氧气的经改进渗透控制。示范性衬底容器可包含晶片容器、光罩盒、磁盘运送器及/或半成品盒。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有增强型容纳的衬底容器相关申请案交叉参考本申请案主张2015年7月13日提出申请的美国临时专利申请案第62/192,011号的权益，所述美国临时专利申请案的揭示内容据此以其全文引用的方式并入。
本专利技术一般来说涉及用于半导体制造中的衬底容器，例如硅晶片容器及光罩容器。
技术介绍
被制造成集成电路(包含计算机芯片)的半导体晶片在各种处理设备中的处理期间经受众多步骤。晶片必须从工作站被运输到工作站且通常必须被暂时存储以便适应必要的处理步骤。此外，晶片必须有时从晶片制造设施被运输或运送到其被进一步处理的另一位点。此通常使用衬底容器来实现。许多操作性能要求与此类容器相关联。一般来说，此类容器需要具有强度、稳健性、重量、公差控制与成本效益的最优组合。所述容器可由高架机器运输、可被洗涤及再使用、可被打开及关闭数百次且可被装载及卸载数百次。用于在处理步骤之间存储300mm晶片的容器称为FOUP(前开式晶片传送盒(FrontOpeningUnifiedPod))且通常用于在设施之间运送300mm晶片的容器称为FOSB(前开式运送盒(FrontOpeningShippingBox))。FOUP及F本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种衬底容器，其包括：容器部分，所述容器部分具有前开口及针对所述前开口而定大小的门；所述容器部分包括金属壳体及用于固持300mm晶片及450mm晶片中的一者的一对晶片支撑件。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.07.13 US 62/192,0111.一种衬底容器，其包括：容器部分，所述容器部分具有前开口及针对所述前开口而定大小的门；所述容器部分包括金属壳体及用于固持300mm晶片及450mm晶片中的一者的一对晶片支撑件。2.根据权利要求1所述的衬底容器，其中所述金属壳体由镁构成且具有涂层。3.根据权利要求2所述的衬底容器，其中所述门由镁构成且具有涂层。4.根据权利要求1、2或3所述的衬底容器，其中所述晶片支撑件包括聚合物材料。5.根据权利要求1、2或3所述的衬底容器，其中所述容器部分进一步包括聚合物机器人凸缘。6.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的衬底容器，其中所述金属壳体由经触变模制镁形成。7.根据权利要求6所述的衬底容器，其中所述门由经触变模制镁形成。8.根据权利要求1所述的衬底容器，其中所述金属壳体包括多个拐角部分及多个壁部分，且其中所述壁部分具有从所述多个拐角部分位移的部分且所述位移的部分具有是所述拐角部分中的一者处的壁厚度的60％或更小的壁厚度。9.根据权利要求8所述的衬底容器，其中至少一个壁部分具有经薄化部分，所述经薄化部分比所述拐角部分中的至少一者处的区域的厚度小至少30％。10.一种衬底容器，其包括所述衬底容器的由经镁触变模制材料形成的容纳部分，所述容纳部分具有在所述经镁触变模制材料的表面上的涂层，所述容纳部分进一步具有衬底支撑件。11.根据权利要求10所述的衬底容器，其中所述衬底支撑件经配置及定位以用于固持300mm晶片...

【专利技术属性】
技术研发人员：G·盖勒格，S·索姆纳，
申请(专利权)人：恩特格里斯公司，
类型：发明
国别省市：美国,US