本实用新型专利技术属于镀膜技术领域，具体涉及一种镀膜设备。本实用新型专利技术提供的镀膜设备包括镀膜腔体和溅射装置，所述溅射装置可对放置在所述镀膜腔体外的待镀膜载体喷射溅射清洗粒子。本实用新型专利技术提供的镀膜设备解决了由于在镀膜腔体内部进行溅射清洗而导致镀膜腔体内环境受到污染的技术问题，该镀膜设备可应用于镀膜工艺中。
【技术实现步骤摘要】
本技术属于镀膜
，具体涉及一种镀膜设备。
技术介绍
TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display)面板的生产制程包括阵列制程(Array Process)。阵列制程是利用镀膜设备在洁净的玻璃基板上镀上薄膜，再通过曝光、显影等步骤在玻璃基板上制作电晶体图案，最后进行蚀刻形成所需要的电路图案；重复前面所述过程5-7次就完成了阵列制程。在上述阵列制程中，玻璃基板在镀上薄膜之前，需要对玻璃基板进行清洗，以避免杂质影响薄膜与玻璃基板之间的结合力。清洗一般是将玻璃基板依次经过去离子水、丙酮、去离子水、乙醇、去离子水的反复清洗。尽管对玻璃基板作了如此细致的清洗，但进入镀膜腔体内的玻璃基板表面仍然会存在部分的水分子以及未洗净的油污分子，若不对这部分水分子及油污分子做进一步去除，则会直接影响薄膜的附着力，也会影响成膜纯度。现有的解决办法是利用溅射技术对玻璃基板表面进行溅射清洗。溅射清洗能很好地清洗掉玻璃基板上剩余的水分子及油污分子。但现有技术中，溅射清洗玻璃基板的过程是在镀膜设备中的镀膜腔体内进行的，从玻璃基板表面清洗掉的水分子及油污分子影响了镀膜腔体内的清洁程度，降低了镀膜腔体内的气氛环境质量，影响镀膜质量。
技术实现思路
本技术提供一种镀膜设备，用于解决因镀膜腔体内的气氛环境质量较差，所导致的镀膜质量差的问题。为达到上述目的，本技术采用如下技术方案:一种镀膜设备，包括镀膜腔体和溅射装置，所述溅射装置可对放置在所述镀膜腔体外的待镀膜载体喷射溅射清洗粒子。本技术提供的镀膜设备中，溅射装置可对放置在镀膜腔体外的待镀膜载体喷射溅射清洗粒子，所以对待镀膜载体的溅射清洗可以在镀膜腔体外部进行，从而可以避免溅射清洗时清洗掉的水分子、油污分子等污染物污染镀膜腔体内的气氛环境，进而提高了镀膜质量。【附图说明】图1为本技术一实施例中的镀膜设备的结构示意图。图2为本技术另一实施例中的镀膜设备的结构示意图。图3为本技术又一实施例中的镀膜设备的结构示意图。图4为本技术一实施例中的镀膜设备的结构示意图。图5为本技术一实施例中的电阻丝结构的示意图。图6为本技术另一实施例中的电阻丝结构的示意图。图7为本技术一实施例中的镀膜设备的结构示意图。1-镀膜腔体，2-溅射装置，3-待镀膜载体，4-支撑台，5-预加热源，6_加热源，7-电阻丝，8-导轨，9-导向轮。【具体实施方式】下面结合附图对本技术实施例的镀膜设备及镀膜方法进行详细描述。如图1所示的一种镀膜设备，包括镀膜腔体I和溅射装置2，溅射装置2可对放置在镀膜腔体I外的待镀膜载体3喷射溅射清洗粒子。镀膜腔体I可以是圆柱状、长方体状、正方体状或其他形状，通常镀膜腔体I设有开口，以便于镀膜载体进入镀膜腔体I内进行镀膜。溅射装置2可以为直流溅射装置、交流溅射装置和磁控溅射装置等，溅射装置2可以产生溅射清洗所需要的溅射清洗粒子。所述溅射清洗粒子可以是离子、中性原子等，通常是带正电荷的惰性气体离子，例如氩离子。溅射装置2可以位于镀膜腔体I的内部，通过改变溅射装置2的喷射角度，使溅射装置2通过镀膜腔体I的开口，向位于镀膜腔体I外部的待镀膜载体3喷射溅射清洗粒子，进而实现对待镀膜载体3的溅射清洗。溅射装置2也可以位于镀膜腔体I的外部，具体可以是位于待镀膜载体3的正对面、侧面、上方、下方或其他方位，在此对溅射装置2与待镀膜载体3的相对位置不做具体限定，应以溅射装置2喷射的溅射清洗粒子能够喷射到待镀膜载体3为目的。其中，溅射装置2能够将溅射粒子喷射到待镀膜载体3上，并以溅射粒子能够完全覆盖待镀膜载体3为最佳。这就限定了待镀膜载体3的位置，即是能够接受溅射装置2喷射的溅射清洗粒子的位置。在使用本实施例的镀膜设备时，是将待镀膜载体3位于镀膜腔体I的外部进行溅射清洗。值得一提的是，溅射装置2对放置在镀膜腔体I外的待镀膜载体3喷射溅射清洗粒子，具体是指溅射装置2喷射的溅射清洗粒子以一定的能量轰击待镀膜载体3的表面，使待镀膜载体3表面的水分子、油污分子等污染物分子获得足够大的能量而最终逸出待镀膜载体3的表面，进而能够溅射清洗待镀膜载体3。通常，待镀膜载体3的溅射清洗是在真空环境下进行的。本实施例中，溅射装置2可对放置在镀膜腔体I外的待镀膜载体3喷射溅射清洗粒子，所以对待镀膜载体3的溅射清洗可以在镀膜腔体I外部进行，从而可以避免对待镀膜载体3的溅射清洗时清洗掉的水分子、油污分子等污染物污染镀膜腔体内的气氛环境，提高了镀膜腔体I内的环境质量，从而提高镀膜质量。此外，在使用本实施例的镀膜设备进行镀膜时，可以清洗掉待镀膜载体表面的污染物，进而可以提高待镀膜载体与薄膜之间的结合力，从而进一步提尚锻I旲质量。如图2所示，上述镀膜设备还包括位于镀膜腔体I外的支撑台4，待镀膜载体3放置在支撑台4上被溅射清洗。待镀膜载体3放置在支撑台4上便于被溅射清洗。对待镀膜载体3进行溅射清洗时，通常在真空环境下进行的，待镀膜载体3可以直接放置在构成真空环境的真空室或真空壳体内的支撑台4上，也可以通过吊绳吊挂在真空室或真空壳体内。使用镀膜设备进行镀膜具体是在待镀膜载体的表面镀上薄膜，一般需要先对薄膜材料进行晶化，而材料的晶化需要在某一特定的温度下完成，这一温度称为晶化温度。在液晶显示领域，所需要的薄膜材料的晶化温度通常在250-270°C之间。通常在进行镀膜前，对待镀膜载体进行加热处理，进而使薄膜材料接触镀膜载体时受热发生晶化。对待镀膜载体的加热方式一般是使用加热源对镀膜载体的背面进行加热，使待镀膜载体达到所制备薄膜的晶化温度。较佳的实施例中，如图3所示的镀膜设备，支撑台4上间隔设有对放置在支撑台4上的待镀膜载体3进行加热的预加热源5和加热源6，且加热源6位于镀膜腔体I内。如此设计，可以通过预加热源5和加热源6对待镀膜载体3进行分级加热，所述分级加热，是指先把待镀膜载体进行预加热到某一温度(小于最终所需要的温度)后，使待镀膜载体维持这一温度一段时间或者使待镀膜载体稍微降温后，再进行加热到所需要的温度。具体地，使用本实施例提供的镀膜设备时，通常是先用预加热源5对待镀膜载体3进行预加热，使其达到一定的温度，使待镀膜载体3维持这一温度一段时间或者使待镀膜载体3稍微降温，之后再使用加热源6对已经预热后的待镀膜载体3进行加热至所需薄膜材料的晶化温度，这样就实现了对待镀膜载体3的分级加热。例如，薄膜材料的晶化温度在250-270°C之间，预加热时可以使待镀膜载体的温度达到130-140°C，预加热源5和加热源6的相对位置在此不做具体限定，因为不同的设备及不同的需求，可以调整预加热源5和加热源6的相对位置，但是在待镀膜载体3到达加热源进行加热时，待镀膜载体3的温度一般应能达到90-110°C (在室温下，一般从预加热结束后到加热开始，中间可以停留10-30秒的时间，这段时间通常也是被加热物体从预加热源到达加热源的时间)。当然，不同薄膜材料的晶化温度不同，其预加热达到的温度可以选择不同，如果晶化温度过高或者有其他不同的需求，也可以设置多个预加热源5。通常，预加热源5和加热源6的相对位置及距离可以不同，但应能够实现对镀膜载体3的分级加热。加热源本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种镀膜设备，其特征在于，包括镀膜腔体和溅射装置，所述溅射装置可对放置在所述镀膜腔体外的待镀膜载体喷射溅射清洗粒子。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张启平，孙文波，刘同敏，夏继泰，
申请(专利权)人：合肥京东方显示光源有限公司，京东方科技集团股份有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽;34
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