具有垂直沟道晶体管的半导体器件及其制造方法技术
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种制造半导体器件的方法。所述方法包括：形成掩埋有多个掩埋位线的多个半导体本体线，所述多个半导体本体线由多个沟槽分隔开；形成填充所述多个沟槽中的每个沟槽的填充层；在所述多个半导体本体线和填充层上形成导电层；以及通过刻蚀导电层，在所述多个半导体本体线上形成多个半导体柱体。【专利说明】相关申请的交叉引用本申请要求2012年7月4日提交的申请号为10-2012-0072782的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。
本专利技术的示例性实施例涉及一种半导体器件，更具体而言涉及一种。
技术介绍
大部分的半导体器件包括晶体管。例如，在诸如DRAM的存储器件中，存储器单元包括诸如MOSFET的单元晶体管。通常，在MOSFET中，在半导体衬底中形成源极区域和漏极区域，以及在源极区域与漏极区域之间形成平面沟道。这种MOSFET通常称为“平面沟道晶体管”。随着集成度和性能不断改善，MOSFET制造技术已达到物理极限。例如，随着存储器单元的尺寸减小，MOSFET的尺寸减小，MOSFET的沟道长度也相应地减小。如果MOSFET的沟道长度减小...
【技术保护点】
一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：形成由多个沟槽分隔开的多个半导体本体线，在所述多个半导体本体线中掩埋有多个掩埋位线；形成填充所述多个沟槽中的每个沟槽的填充层；在所述多个半导体本体线和所述填充层之上形成导电层；以及通过刻蚀所述导电层，在所述多个半导体本体线之上形成多个半导体柱体。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：赵兴在，金泰润，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：
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