一种MOSFET器件及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种MOSFET器件的制备方法，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底中形成有浅沟槽隔离；在半导体衬底上形成栅极结构；在所述栅极结构的两侧形成栅极间隔壁；以栅极间隔壁为掩膜，蚀刻所述衬底，以在所述衬底的源漏区形成第一沟槽；在所述第一沟槽侧壁和所述栅极间隔壁两侧形成第二间隔壁；以所述第二间隔壁为掩膜各向同性过蚀刻所述半导体衬底，以形成第二沟槽；在所述第二沟槽表面选择性外延生长外延层，外延同时进行与源漏相反类型的原位掺杂；蚀刻去除所述第二间隔壁；选择性外延生长源漏，外延同时进行原位掺杂；在所述栅极间隔壁两侧形成第三间隔壁。本发明专利技术所述方法可以消除现有技术中源/漏的横向扩散，减小源漏串联电阻。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术涉及一种MOSFET器件的制备方法，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底中形成有浅沟槽隔离；在半导体衬底上形成栅极结构；在所述栅极结构的两侧形成栅极间隔壁；以栅极间隔壁为掩膜，蚀刻所述衬底，以在所述衬底的源漏区形成第一沟槽；在所述第一沟槽侧壁和所述栅极间隔壁两侧形成第二间隔壁；以所述第二间隔壁为掩膜各向同性过蚀刻所述半导体衬底，以形成第二沟槽；在所述第二沟槽表面选择性外延生长外延层，外延同时进行与源漏相反类型的原位掺杂；蚀刻去除所述第二间隔壁；选择性外延生长源漏，外延同时进行原位掺杂；在所述栅极间隔壁两侧形成第三间隔壁。本专利技术所述方法可以消除现有技术中源/漏的横向扩散，减小源漏串联电阻。【专利说明】—种MOSFET器件及其制备方法
本专利技术涉及半导体器件制备领域，具体地，本专利技术涉及一种MOSFET器件及其制备方法。
技术介绍
金属-氧化层-半导体-场效晶体管(MOSFET)—种可以应用在模拟电路与数字电路的场效晶体管，典型的MOSFET器件包括栅极、源极和漏极，在源极和漏极靠近栅极底部的区域还形成有轻掺杂区域(LDD区域)，由于制造成本本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种MOSFET器件的制备方法，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底中形成有浅沟槽隔离；在所述半导体衬底上形成栅极结构；在所述栅极结构的两侧形成栅极间隔壁；以所述栅极间隔壁为掩膜，蚀刻所述衬底，以在所述衬底的源漏区形成第一沟槽；在所述第一沟槽侧壁和所述栅极间隔壁两侧形成第二间隔壁；以所述第二间隔壁为掩膜各向同性过蚀刻所述半导体衬底，以形成第二沟槽；在所述第二沟槽表面选择性外延生长外延层，外延同时进行与源漏相反类型的原位掺杂；蚀刻去除所述第二间隔壁；选择性外延生长源漏，外延同时进行原位掺杂；在所述栅极间隔壁两侧形成第三间隔壁。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：卜伟海，王文博，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：