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本发明公开了一种制造半导体器件的方法。所述方法包括：形成掩埋有多个掩埋位线的多个半导体本体线，所述多个半导体本体线由多个沟槽分隔开；形成填充所述多个沟槽中的每个沟槽的填充层；在所述多个半导体本体线和填充层上形成导电层；以及通过刻蚀导电层，在...
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