【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种FinFET，鳍状半导体柱被形成为多条平行排列，多条平行排列的栅极与之相交。全面性地沉积多晶硅层，并将其转变成单晶硅层，使该单晶硅层与鳍状半导体柱本质上成为一体，这相当于抬升了鳍状半导体柱中的源漏区域，并且扩展了鳍状半导体柱的顶部面积；之后，使位于鳍状半导体柱顶面以上的单晶硅层转化而形成金属硅化物，从而形成源漏区域接触。本专利技术的源漏区域接触较常规FinFET中的源漏区域接触的面积更大，使得接触电阻减小，并且有利于后续工艺中的自对准金属插塞的形成。【专利说明】
本专利技术涉及领域，特别地，涉及ー种FinFET(鳍状场效应晶体管)的制造方法。
技术介绍
近30年来，半导体器件一直按照摩尔定律等比例縮小，半导体集成电路的特征尺寸不断缩小，集成度不断提高。随着技术节点进入深亚微米领域，例如IOOnm以内，甚至45nm以内，传统场效应晶体管(FET)，也即平面FET，开始遭遇各种基本物理定律的限制，使其等比例縮小的前景受到挑战。众多新型结构的FET被开发出来，以应对现实的需求，其中，FinFET就是ー种很具等比例縮小潜力的新结构器件。FinFET...
【技术保护点】
一种半导体器件制造方法，用于制造FinFET器件，其特征在于包括如下步骤：提供半导体衬底，在该半导体衬底上形成多条平行排列的鳍状半导体柱；沉积栅极绝缘层和栅极材料，定义栅极图形，形成多条平行排列的栅极，所述栅极与所述鳍状半导体柱相交，定义FinFET的沟道区域；形成间隙壁，其位于所述栅极和所述鳍状半导体柱的侧面上；全面性沉积多晶硅层，然后对该多晶硅层进行平坦化处理，暴露出所述栅极的顶面；将所述多晶硅层单晶化，形成单晶硅层；形成隔离结构，其切断所述鳍状半导体柱；使位于所述鳍状半导体柱顶面以上的所述单晶硅层与金属反应形成金属硅化物，所形成的金属硅化物为源漏区域接触；多条平行排列...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：钟汇才，梁擎擎，赵超，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：
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