非易失性存储器器件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种非易失性存储器器件，包括：本体(12)，至少容纳第一半导体阱(14)和第二半导体阱(15)；绝缘结构(27)；以及至少一个非易失性存储器单元(2，2’)。该单元(2，2’)包括：在第一阱(14)中的至少一个第一控制区域(16)；在第二阱(15)中的传导区域(18-20)；以及浮置栅极区域(23)，其在第一阱(14)和第二阱(15)的一部分之上延伸，电容性地耦合到第一控制区域(16)并且与传导区域(18-20)一起形成浮置栅极存储器晶体管(30)。绝缘结构(27)包括：第一绝缘区域(28)，其将浮置栅极区域(23)与第一控制区域(16)以及与传导区域(18-20)分开，并且具有第一厚度(D1)；以及第二绝缘区域(29)，其将浮置栅极区域(23)与第一控制区域(16)外部的第一阱(14)分开，并且具有大于第一厚度(D1)的第二厚度(D2)。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种非易失性存储器器件，其特征在于，包括：?本体(12)，容纳半导体材料的至少第一阱(14)和至少第二阱(15)；?绝缘结构(27)；以及?至少非易失性存储器单元(2，2’)；?其中所述存储器单元(2，2’)包括：?容纳在所述第一阱(14)中的至少第一控制区域(16)；?容纳在所述第二阱(15)中的传导区域(18?20)；以及?浮置栅极区域(23)，其在所述第一阱(14)的一部分和所述第二阱(15)的一部分上延伸，电容性地耦合到所述第一控制区域(16)并且与所述传导区域(18?20)一起形成浮置栅极存储器晶体管(30)；?并且其中所述绝缘结构(27)包括：?第一绝缘区域(28)，将所述浮置栅极区域(23)与所述第一控制区域(16)以及与所述传导区域(18?20)分开，并且具有第一厚度(D1)；以及?第二绝缘区域(29)，将所述浮置栅极区域(23)与所述第一控制区域(16)外部的所述第一阱(14)分开，并且具有大于所述第一厚度(D1)的第二厚度(D2)。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：F·托里切利，L·科拉朗奥，A·里奇利，Z·科瓦克斯瓦杰纳，
申请(专利权)人：意法半导体股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：