用于硅片刻蚀的方法及设备技术

本发明专利技术公开了一种用于硅片刻蚀的方法。所述方法包括：（a）去除所述硅片的所述边缘和所述下表面处的磷硅玻璃；（b）对所述硅片的边缘和下表面进行刻蚀，以去除所述硅片上的PN结；（c）去除所述硅片的所述上表面的所述磷硅玻璃。所述方法有效地解决硅片刻蚀过程产生的黑边或方阻上升问题。本发明专利技术还公开了一种用于硅片刻蚀的设备。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种用于硅片刻蚀的方法。所述方法包括：（a）去除所述硅片的所述边缘和所述下表面处的磷硅玻璃；（b）对所述硅片的边缘和下表面进行刻蚀，以去除所述硅片上的PN结；（c）去除所述硅片的所述上表面的所述磷硅玻璃。所述方法有效地解决硅片刻蚀过程产生的黑边或方阻上升问题。本专利技术还公开了一种用于硅片刻蚀的设备。【专利说明】用于硅片刻蚀的方法及设备
本专利技术涉及化学刻蚀
，更具体地，本专利技术涉及一种用于硅片刻蚀的方法及设备。
技术介绍
常规制造晶体硅太阳能电池包括制绒、扩散、清洗刻蚀、PECVD、丝网印刷工序等。其中，在电池片的扩散工序中，通常会产生一层含磷的二氧化硅，俗称磷硅玻璃，并且在硅片边缘也形成一层PN结，边缘的这层PN结会在硅片做成电池片后导通电池片的上下两极而发生漏电现象。而清洗刻蚀工序的主要目的就是去除磷硅玻璃和边缘处的PN结。去除磷硅玻璃所用药液为HF，其化学反应方程式为:Si02+4HF=S iF4+2H20,刻蚀时所用药液为HF和HNO3的混合溶液，涉及化学方程式为:Si02+4HF=SiF4+2H20,SiF4+2HF=H2本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于硅片的刻蚀方法，所述硅片的上表面、下表面以及边缘处形成有磷硅玻璃，其特征在于，包括以下步骤：（a）去除所述硅片的所述边缘和所述下表面处的磷硅玻璃；（b）对所述硅片的边缘和下表面进行刻蚀，以去除所述硅片上的PN结；以及（c）去除所述硅片的所述上表面的所述磷硅玻璃。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王大男，
申请(专利权)人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司，
类型：发明
国别省市：