【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种重复使用的半导体基底，其特征在于：包括基底本体、至少一层保护层和至少两层缓冲层，保护层处于各缓冲层之间；各层缓冲层中，具有一层设置于保护层与基底本体之间的最底缓冲层；具有一层处于整个半导体基底的上表面的最顶缓冲层，最底缓冲层与基底本体的材质相同。
【技术特征摘要】
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