本发明公开了一种重复使用的半导体基底，利用在原来基底本体的基础上添加缓冲层和保护层整体作为新的半导体基底使用，可有效的保护基底本体，减少基底本体上的缺陷，缩小基底本体的表面去除量，提高重复使用次数。同时本发明又提供一种操作方便可行的对半...

本发明公开了一种薄膜LED外延芯片的制造方法，包括提供一个基底、在基底上形成牺牲层；在牺牲层上形成外延层；在外延层上形成若干个有效金属体，各有效金属体之间存在刻蚀间隙；以各有效金属体作为掩膜，纵向刻蚀处于刻蚀间隙中的外延层直至露出牺牲层...