【技术实现步骤摘要】
一种多晶硅片的制绒方法
本专利技术涉及到一种多晶硅片的制绒方法，属于晶硅太阳能电池领域。
技术介绍
目前，制绒是制备具有减少反射功能的硅表面的方法，将晶体硅硅片表面织构化，利用表面的陷光作用促进太阳光的吸收，提高多晶太阳能电池的转换效率。多晶硅太阳能电池的制作过程中一般都采用酸腐蚀（HF+HNO3）的方式制绒，单晶硅太阳能电池一般采用碱腐蚀（NaOH/KOH+制绒添加剂）制绒。采用酸腐蚀的方式制绒对硅片的反射率降低有限（由30%降低至27%左右），而由于多晶硅硅片上存在多个晶向，如果直接采用碱腐蚀的方式制绒，各晶向反应速率差异较大，导致硅片表面反射率上升。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种多晶硅片的制绒方法，先对多晶硅片进行酸腐蚀的方式制绒，然后再对多晶硅片进行碱腐蚀的方式制绒，不仅可以降低多晶电池片的反射率，还可以提高类单晶太阳电池电的性能参数和转换效率。一种多晶硅片的制绒方法，将多晶硅片在温度为4-10℃的HF和HNO3的混合酸溶液腐蚀1-2min，每片多晶硅片腐蚀量控制在0.35-0.45g；再将酸腐蚀后的多晶硅片放入温度为40-60℃的碱腐蚀溶液中3-...
【技术保护点】
一种多晶硅片的制绒方法，其特征为：将多晶硅片在温度为4?10℃的HF和HNO3的混合酸溶液腐蚀1?2min，每片多晶硅片腐蚀量控制在0.35?0.45g；再将酸腐蚀后的多晶硅片放入温度为40?60℃的碱腐蚀溶液中3?5min，每片多晶硅片腐蚀量控制在0.05?0.1g，即得。
【技术特征摘要】
1.一种多晶硅片的制绒方法，其特征在于：将多晶硅片在温度为7℃的HF和HNO3的混合酸溶液腐蚀1.5min，每片多晶硅片腐蚀量控制在0.40g；再将酸腐蚀后的多晶硅片放入温度为50℃的碱腐蚀溶液中4min，每片多晶硅片腐蚀量控制在0.08g，即得；所述HF和HNO3的混合酸溶液中HF质量浓度为7%...
【专利技术属性】
技术研发人员：柳杉，黄治国，王鹏，梁晓静，梅超，包兵兵，
申请(专利权)人：上饶光电高科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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