半导体鳍条的制作方法、FinFET器件的制作方法技术

本发明专利技术实施例提供一种半导体鳍条的制作方法、FinFET器件的制作方法，所述半导体鳍条的制作方法包括：提供衬底；在所述衬底之上的预定区域选择性外延生长第一掩膜层；以所述第一掩膜层为掩膜在所述衬底之上选择性外延生长第一外延层；以所述第一外延层为掩膜采用各向异性刻蚀方法去除所述第一掩膜层及其底部的部分所述衬底，以在所述第一外延层底部形成鳍条。通过上述方案，采用选择性外延生长与各向异性刻蚀工艺相结合的方式，无需采用光刻技术，能够保证半导体鳍条与栅氧化层的表面相互垂直，并且降低了半导体鳍条表面的粗糙度、形成侧面光滑的鳍条。

【技术实现步骤摘要】
半导体鳍条的制作方法、FinFET器件的制作方法
本专利技术属于大规模集成电路制造
，具体涉及一种半导体鳍条的制作方法以及采用其的FinFET器件的制作方法。
技术介绍
随着摩尔定律推进到22nm工艺节点，传统的平面场效应晶体管已经不能满足低功耗和高性能的要求。为了克服短沟道效应和提高单位面积的驱动电流密度，三维立体结构的鱼鳍型场效应晶体管(FinField-EffectTransistor；FinFET)开始引入大规模集成电路制造技术。这种结构由于具有更多的栅控面积、更窄的沟道耗尽区域而拥有非常突出的短沟道控制能力和很高的驱动电流。FinFET是一种新兴的结构，该结构包括狭窄而独立的鳍条，鳍条两侧有栅极，益处在于可以从两侧控制沟道的栅，它使得器件更小、性能更高、功耗更低。FinFET中的鳍条包括源极区域和漏极区域，鳍条的有源区通过浅沟槽隔离(STI)被分割。FinFET还包括位于源极区域与漏极区域之间的栅极区域。栅极区域形成于鳍条的上表面与侧壁以包裹围绕鳍条。在栅极下方延伸且介于源极区域与漏极区域之间的鳍条的部分为沟道区域。现有技术中制作FinFET器件中的鳍条普遍采用光刻工本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体鳍条的制作方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底之上的预定区域选择性外延生长第一掩膜层；以所述第一掩膜层为掩膜在所述衬底之上选择性外延生长第一外延层；以所述第一外延层为掩膜采用各向异性刻蚀方法去除所述第一掩膜层及其底部的部分所述衬底，以在所述第一外延层底部形成鳍条。

【技术特征摘要】
1.一种半导体鳍条的制作方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底之上的预定区域选择性外延生长第一掩膜层；所述第一掩膜层包括多个第一掩膜区域，每个第一掩膜区域覆盖衬底表面上的一个特定区域，相邻两个第一掩膜区域之间存在空白区域，所述空白区域底部是衬底；以所述第一掩膜层为掩膜在所述衬底之上的空白区域选择性外延生长第一外延层；以所述第一外延层为掩膜采用各向异性刻蚀方法去除所述第一掩膜层及其底部的部分所述衬底，以在所述第一外延层底部形成鳍条。2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，还包括：刻蚀去除所述第一外延层。3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，还包括：采用高温氧化方法对所述鳍条的顶部进行圆滑处理。4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，还包括：在所述鳍条的两侧形成侧墙；在所述侧墙的外侧形成第二掩膜层；在所述第二掩膜层的外侧选择性外延生长新鳍条；采用各向异性刻蚀去除所述鳍条、侧墙以及所述第二掩膜层以暴露出所述新鳍条。5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，相邻两个所述鳍条之间的间距相等。6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述选择性外延生长的工艺条件为：生长气氛为氯的硅源气体、生长温度为750～900℃。7.根据权利要求1-6任一项所述的制作方法，其特征在于，还包括：在所述衬底之上除鳍条之外的区域形成第一氧化层；将部分所述鳍条氧化成第二氧化层，其中所述第二氧化层位于与所述衬底相接，且所述第二氧化层的高度与所述第一氧化层的高度相同。8.一种FinFET器件的制作方法，其特征在于，包括：提供形成有鳍条的衬底，所述鳍条采用如权利要求1-6任一项所述的制作方法制作；在所述衬底之上除鳍条之外的区域形成第一氧化层；将部分所述鳍条氧化成第二氧化层，其中所述第二氧化层位于与所述衬底相接，且所述第二氧化层的高度与所述第一氧化层的高度相同；采用高温氧化法对所述鳍条顶部拐角处进行圆滑处理；在所述鳍条两侧形成边墙；形成于所述鳍条相交的栅条；在所述栅条两侧形成侧壁；以所述侧壁为掩膜进行离子注入，在所述衬底内形成源/漏区。9.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述形成与所述鳍条相交的栅条，包括：在所述鳍条顶部、所述边墙顶部及所述第一氧化层表面形成外延层；刻蚀去除多余的所述外延层，以形成与所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵静，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：