【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种双重曝光制作高均匀度栅极线条的方法，其特征在于包括：第一步骤：在衬底硅片上依次沉积多晶硅薄膜、无定形碳薄膜、和含碳的氧化硅薄膜，然后涂布可成形硬膜第一光刻胶；第二步骤：完成曝光和显影在第一光刻胶的膜中形成第一栅极线条结构；第三步骤：在与显影步骤相同的同一显影机台内，在第一光刻胶上涂布硫氰酸盐类化合物以交联固化第一光刻胶中第一栅极线条结构，加热使固化材料与第一光刻胶表面反应形成不溶于第二光刻胶的隔离膜，去除剩余的固化材料；第四步骤：在固化后的第一光刻胶上涂布第二光刻胶；第五步骤：完成曝光和显影在第二光刻胶膜中形成第一线端切割图形；第六步骤：以第二光刻胶膜为掩模，刻蚀隔离膜和第一栅极线条，形成第二线端切割图形，随后去除第二光刻胶；第七步骤：以剩余的隔离膜和第一栅极线条为掩模，继续依次刻蚀含碳的氧化硅薄膜、无定形碳薄膜、和多晶硅薄膜，并去除残余的含碳的氧化硅薄膜和无定形碳薄膜，最终在多晶硅薄膜层形成第二栅极线条结构。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：毛智彪，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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