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一种双重曝光制作高均匀度栅极线条的方法，包括：沉积多晶硅薄膜、无定形碳薄膜、和含碳的氧化硅薄膜，涂布第一光刻胶；曝光和显影在第一光刻胶的膜中形成第一栅极线条结构；涂布硫氰酸盐类化合物以交联固化第一光刻胶中第一栅极线条结构，加热使固化材料与第...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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