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本发明实施例提供一种半导体鳍条的制作方法、FinFET器件的制作方法，所述半导体鳍条的制作方法包括：提供衬底；在所述衬底之上的预定区域选择性外延生长第一掩膜层；以所述第一掩膜层为掩膜在所述衬底之上选择性外延生长第一外延层；以所述第一外延层为...
该专利属于华为技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华为技术有限公司授权不得商用。

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