【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种多晶硅片缺陷的分类方法。
技术介绍
多晶硅太阳能电池由于其较高的性价比,近年来一直在光伏发电市场占据着绝对优势。有报道称,2015年多晶硅太阳能电池组件占据了光伏发电市场88%的份额。在可预见的将来,多晶硅太阳能电池组件仍将占据光伏发电市场的绝对霸主地位。多晶硅片相较于单晶硅片,主要缺点在于较高的缺陷。较高的缺陷将直接影响着硅片的质量,从而制约着硅片电池效率的提高。因此,分析和研究多晶硅片上的缺陷将会显得非常的重要。目前,PL(光致发光)技术作为一种无损伤、高效率的检测技术,正在逐步应用到多晶硅片的检测中。PL技术不仅为多晶硅片上的缺陷表征提供了一种有效的手段,而且也为缺陷的研究提供了可靠的条件。PL技术原理:利用激光光源激发硅片或太阳电池片,使硅片或太阳电池片发出特定波长的光,然后通过滤光以及特殊感光元件收集特定波长的发光信号,最后经过数据处理表征出硅片或太阳电池片表面的缺陷。目前,澳大利亚BT image公司已经推出多款PL设备,在市场应用反映良好。我国也有公司和高校开展了相关的研究,但相关技术还需要进一步的提高和优化。目前,各厂家均将PL技术表征出的所有缺陷归于一类缺陷,并用软件对缺陷进行量化。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种更为有效的表征多晶硅片的质量的多晶硅片缺陷的分类方法。本专利技术的技术解决方案是:一种多晶硅片缺陷的分类方法,其特征是:将多晶硅片上不同缺陷类型分成团聚状缺陷和线状缺陷二种类型;所述团聚状缺陷是:数量级在103-109位错缺陷体团聚到一定二维区域内,形成形状不固定的二维缺陷;所述线状缺陷是:数量级在10 ...
【技术保护点】
一种多晶硅片缺陷的分类方法,其特征是:将多晶硅片上不同缺陷类型分成团聚状缺陷和线状缺陷二种类型;所述团聚状缺陷是:数量级在103‑109位错缺陷体团聚到一定二维区域内,形成形状不固定的二维缺陷;所述线状缺陷是:数量级在103‑109位错缺陷体团聚到一定一维区域内,形成一维的线状缺陷;团聚状缺陷主要影响电池的效率;线状缺陷主要影响电池的漏电。
【技术特征摘要】
1.一种多晶硅片缺陷的分类方法,其特征是:将多晶硅片上不同缺陷类型分成团聚状缺陷和线状缺陷二种类型;所述团聚状缺陷是:数量级在103-109位错缺陷体团聚到一定二维区域内,形成形状不固定的二维缺陷;所述线状缺陷是:数量级在103-109位错缺陷...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘晓兵,赵福祥,金起弘,
申请(专利权)人:韩华新能源启东有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏;32
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。