【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于太阳能电池领域，具体涉及一种topcon太阳能电池的制备方法及topcon电池。
技术介绍
1、topcon(tunnel oxide passivation contact)电池全称为隧穿氧化钝化接触电池，其核心在于背面超薄的隧穿氧化层以及掺杂的多晶硅层，隧穿氧化层和掺杂多晶硅层共同形成钝化接触结构，该结构不仅利用超薄氧化硅层(siox)层提供有效的化学钝化，同时通过掺杂多晶硅层与硅基底之间势能差实现了良好的场效应钝化，该结构还通过能带弯曲使得多数载流子穿过氧化层，对少数载流子起阻挡作用，有效地实现了载流子的选择通过性，从而极大地降低了少数载流子的复合，提高了topcon电池的效率。
2、然而，在将钝化接触结构技术转移到最先进的工业生产中时，仍存在一些挑战，如成品topcon电池的长期稳定性，发现成品topcon电池片在光照射之后，其电性能得到了很大的改善，但将topcon电池片置于暗处放置保存一段时间后，topcon电池的电性能又出现了衰减的情况，如果再给予光照，其电性能又得到了恢复，如此反复，topcon电池一直处于一种不稳定的状态。这种不稳定的状态主要是由于氢钝化的不稳定造成的。
技术实现思路
1、本专利技术的目的是提供一种topcon太阳能电池的制备方法及topcon电池，不仅能很好的控制氢钝化的稳定性，同时能提高氢的钝化能力，提高topcon电池效率。
2、为达到上述目的，本专利技术采用的一种技术方案是：
3、一种top
4、s1、对n型硅片进行预处理，预处理后，所述n型硅片的正面依次沉积有硼扩散层、正面钝化抗反射层，所述n型硅片的背面依次沉积有隧穿氧化层、磷掺杂的多晶硅层、背面钝化减反层；
5、s2、金属化处理；
6、s3、烧结；
7、其中，在所述步骤s1之后、步骤s2之前还包括退火处理，或者，在所述步骤s3之后还包括退火处理。
8、根据本专利技术的一些实施方式，所述退火步骤中，选择n2氛围，退火温度为450℃-650℃，退火时间为10 -30min。
9、根据本专利技术的一些实施方式，所述的背面钝化减反层包括alox层，所述的背面钝化减反层还包括氮化硅层、氮氧化硅层中至少一个。
10、根据本专利技术的一些实施方式，所述的背面钝化减反层包括由内向外依次分布的氮化硅层、alox层、氮化硅层；所述的背面钝化减反层包括由内向外依次分布的氮化硅层、alox层、氮氧化硅层；或所述的背面钝化减反层包括由内向外依次分布的第一氮化硅层、alox层、第二氮化硅层；或所述的背面钝化减反层包括由内向外依次分布的第一氮化硅层、alox层、第二氮氧化硅、氮氧化硅层。
11、根据本专利技术的一些实施方式，所述的alox层的厚度大于等于14nm。
12、根据本专利技术的一些实施方式，所述的预处理步骤包括：
13、s11、双面制绒；s12、对硅片正面硼扩散；s13、去除n型硅片背面和侧面绕扩的硼扩散层和bsg层；s14、在硅片正面和背面生长隧穿氧化层及本征多晶硅层；s15、去除n型硅片正面和侧面的psg、正面的多晶硅层、正面的隧穿氧化层；s16、在n型硅片背面镀背面钝化减反层；s17、在n型硅片正面沉积正面钝化抗反射层。
14、根据本专利技术的一些实施方式，所述步骤s12中，硼扩散源采用bcl3，扩散温度为900-1100℃，扩散时间为2-3小时，扩散方阻为150ω/sq-180ω/sq，结深为0.5um-1.4um。
15、根据本专利技术的一些实施方式，所述步骤s14中，磷的掺杂浓度为在0.9*1021–3*1021/cm3；所述的磷掺杂的多晶硅层的厚度为50nm-200nm。
16、根据本专利技术的一些实施方式，所述步骤s2中，所述烧结采用丝网印刷或电镀；所述步骤s3中，峰值温度为750℃-800℃。
17、本专利技术采用的另一种技术方案是：
18、一种topcon电池，由所述的topcon太阳能电池的制备方法制备得到。
19、由于上述技术方案运用，本专利技术与现有技术相比具有下列优点：本专利技术提供的topcon太阳能电池的制备方法，在步骤预处理之后、步骤金属化处理之前还包括退火处理，或者，在烧结步骤之后还包括退火处理，达到最优的钝化效果，不仅能很好控制氢钝化的稳定性，同时能提高氢的钝化能力，提高topcon电池效率。
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1.一种TOPCon太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的TOPCon太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述退火步骤中，选择N2氛围，退火温度为450℃-650℃，退火时间为10-30min。
3.根据权利要求1所述的TOPCon太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述的背面钝化减反层包括AlOx层，所述的背面钝化减反层还包括氮化硅层、氮氧化硅层中至少一个。
4.根据权利要求3所述的TOPCon太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述的背面钝化减反层包括由内向外依次分布的氮化硅层、AlOx层、氮氧化硅层；或所述的背面钝化减反层包括由内向外依次分布的第一氮化硅层、AlOx层、第二氮化硅层；或所述的背面钝化减反层包括由内向外依次分布的第一氮化硅层、AlOx层、第二氮氧化硅、氮氧化硅层。
5.根据权利要求3所述的TOPCon太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述的AlOx层的厚度大于等于14nm。
6.根据权利要求1至5任意一项所述的TOPCon太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述的预处理步骤
7.根据权利要求6所述的TOPCon太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤S12中，硼扩散源采用BCl3，扩散温度为900-1100℃，扩散时间为2-3小时，扩散方阻为150Ω/sq-180Ω/sq，结深为0.5um-1.4um。
8.根据权利要求6所述的TOPCon太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤S14中，磷的掺杂浓度为在0.9*1021–3*1021/cm3；所述的磷掺杂的多晶硅层的厚度为50nm-200nm。
9.根据权利要求1所述的TOPCon太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤S2中，所述烧结采用丝网印刷或电镀；步骤S3中，峰值温度为750℃-800℃。
10.一种TOPCon电池，由权利要求1至9任意一项所述的TOPCon太阳能电池的制备方法制备得到。
...【技术特征摘要】
1.一种topcon太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的topcon太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述退火步骤中，选择n2氛围，退火温度为450℃-650℃，退火时间为10-30min。
3.根据权利要求1所述的topcon太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述的背面钝化减反层包括alox层，所述的背面钝化减反层还包括氮化硅层、氮氧化硅层中至少一个。
4.根据权利要求3所述的topcon太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述的背面钝化减反层包括由内向外依次分布的氮化硅层、alox层、氮氧化硅层；或所述的背面钝化减反层包括由内向外依次分布的第一氮化硅层、alox层、第二氮化硅层；或所述的背面钝化减反层包括由内向外依次分布的第一氮化硅层、alox层、第二氮氧化硅、氮氧化硅层。
5.根据权利要求3所述的topcon太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述的alox层的厚度大...
【专利技术属性】
技术研发人员：戴燕华，赵福祥，
申请(专利权)人：韩华新能源启东有限公司，
类型：发明
国别省市：
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