一种用于TOPCon电池LPCVD双插清洗方法技术

本发明专利技术涉及一种用于TOPCon电池LPCVD双插清洗方法，包括：(1)对制绒后的硅片进行如下处理：先对制绒后的硅片正面进行硼掺杂，设置硼扩温度为1030‑1070℃，氧化驱入时间4000s‑5200s；再在所述硅片背面沉积隧穿氧化层和非晶硅层；然后在所述硅片背面进行磷掺杂，设置磷扩温度为870‑920℃；(2)对硅片依次进行链式清洗、槽式清洗、预清洗、去绕镀、后清洗、第一次酸洗、碱洗、第二次酸洗、慢提拉、烘干步骤。本发明专利技术提供的清洗方法，在保证去绕镀清洗效果的同时，清洗后外观良好，良率接近100％，最终成品电池外观正常，电池效率正常，提高LPCVD工序100％的产能，大大降低生产成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于太阳能电池制备领域，具体涉及一种用于topcon电池lpcvd双插清洗方法。

技术介绍

1、n型隧穿氧化层钝化接触(n-topcon)电池是指由隧穿氧化层与掺杂多晶硅共同形成钝化的一类电池，其钝化机理是：超薄氧化硅直接与硅基体接触，中和硅表面的悬挂键，进行优异的化学钝化：重掺杂的多晶硅层因与硅基体存在费米能级的差异，在硅基体表面造成能带弯曲，可以更加有效的阻挡少子的通过，而不会影响多子的传输，实现载流子的选择性收集。

2、在光伏电池领域，提效和降本一直是两大不可逃避的话题。随着技术的不断发展，topcon电池产业化效率不断提高，目前很多企业平均效率已经突破了26％。对于降本方面，一直以来都是各个企业致力于讨论和研究的话题，如何在产业化生产制造中不断降低成本，提高产品市场竞争力。

3、传统的topcon电池在制作遂穿氧化层和非晶硅层时，如果使用lpcvd设备，目前主要是单插的方式，即石英舟的一个卡槽里面只插1片硅片，清洗效率低；如果使用双插的方式，可以提高100％的产能，但是对于去绕镀清洗难度很大。在清洗之前，硼扩散工艺本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于TOPCon电池LPCVD双插清洗方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的用于TOPCon电池LPCVD双插清洗方法，其特征在于，步骤(2)的去绕镀中，使用包含KOH和去绕镀添加剂的混合溶液去除所述硅片正面及四周绕镀多晶硅层。

3.根据权利要求2所述的用于TOPCon电池LPCVD双插清洗方法，其特征在于，所述去绕镀添加剂型号为EP10V17或PR23V03。

4.根据权利要求2所述的用于TOPCon电池LPCVD双插清洗方法，其特征在于，步骤(2)的去绕镀中，所述KOH占混合溶液的体积分数为3.5-6.0％，去绕镀添加剂占混合溶...

【技术特征摘要】

1.一种用于topcon电池lpcvd双插清洗方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的用于topcon电池lpcvd双插清洗方法，其特征在于，步骤(2)的去绕镀中，使用包含koh和去绕镀添加剂的混合溶液去除所述硅片正面及四周绕镀多晶硅层。

3.根据权利要求2所述的用于topcon电池lpcvd双插清洗方法，其特征在于，所述去绕镀添加剂型号为ep10v17或pr23v03。

4.根据权利要求2所述的用于topcon电池lpcvd双插清洗方法，其特征在于，步骤(2)的去绕镀中，所述koh占混合溶液的体积分数为3.5-6.0％，去绕镀添加剂占混合溶液的体积分数为0.8-1.2％；清洗温度为62～75℃，清洗时间为150～500s。

5.根据权利要求1所述的用于topcon电池lpcvd双插清洗方法，其特征在于，步骤(2)的槽式清洗中，使用包含koh和h2o2的混合溶液对所述硅片进行清洗，其中koh占混合溶液的体积分数为0.5-1.3％，h2o2占混合溶液的体积分数为1.8-3.0％；清洗温度为35～45℃，清洗时间为55～75s。

6.根据权利要求1所述的用于topcon电池lpcvd双插清洗方法，其特征在于，步骤(2)的后清洗中，使用包含koh和h2o2的混合溶液对所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈利娟，赵福祥，沈健，沈健锋，黄张健，李鑫，
申请(专利权)人：韩华新能源启东有限公司，
类型：发明
国别省市：