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本发明涉及一种用于TOPCon电池LPCVD双插清洗方法，包括：(1)对制绒后的硅片进行如下处理：先对制绒后的硅片正面进行硼掺杂，设置硼扩温度为1030‑1070℃，氧化驱入时间4000s‑5200s；再在所述硅片背面沉积隧穿氧化层和非晶硅...
该专利属于韩华新能源（启东）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过韩华新能源（启东）有限公司授权不得商用。

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