一种强化钼铌合金蚀刻的铜蚀刻液及蚀刻方法技术

本发明专利技术公开了一种强化钼铌合金蚀刻的铜蚀刻液，按质量百分比计，铜蚀刻液主要组成为：过氧化氢5％～20％、有机酸5％～20％、有机碱3％～12％、金属保护剂0～0.25％、去离子水60％～77％；铜蚀刻液的pH值为2.1～3.6；有机酸为至少两种有机酸的组合。该强化钼铌合金蚀刻的铜蚀刻液通过优选铜蚀刻液的主要组分含量和pH值范围，加快同一基板中光刻胶分布均匀且较密集以及光刻胶分布较稀疏两种不同区域的铜/钼铌层蚀刻速率，尤其是光刻胶分布较稀疏区域的蚀刻速率，使同一基板中不同区域的蚀刻时长趋于一致；缩短基板的整体蚀刻时长，提升铜/钼铌金属叠层基板的蚀刻效率和蚀刻精度一致性。本发明专利技术还公开了一种基于铜蚀刻液的蚀刻方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及金属膜层湿法蚀刻，具体涉及一种强化钼铌合金蚀刻的铜蚀刻液及蚀刻方法。

技术介绍

1、在大尺寸显示器件的结构中，金属铜通常用于制作源漏极以及栅极，但铜与玻璃基板的粘接附着力较差，因此会在铜和玻璃基板之间设置钼层或者钼合金层，例如钼铌合金层。大尺寸显示器件中铜导线的生产主要包括以下步骤：在铜层表面设置预定图案的光刻胶，采用湿法蚀刻液对光刻胶未覆盖区域的铜层与钼铌合金层进行蚀刻，剥离清洗去除光刻胶。

2、现有技术中针对铜钼合金的蚀刻液主要组分为氧化物、酸、碱、缓蚀剂，其中氧化物用于氧化金属生成金属氧化物，酸主要用于溶解金属氧化物、稳定双氧水以及与蚀刻体系中生成的金属离子形成稳定的络合物，蚀刻液中氧化物、酸、碱、缓蚀剂的具体组分以及各组分的含量均为蚀刻速度的影响因素，此外，同时暴露于蚀刻液中的铜和钼铌合金构成原电池，加速钼铌合金的腐蚀。

3、包含铜层和钼铌合金层的蚀刻金属叠层主要有两种：一种是钼铌合金表层、铜层和钼铌合金底层的三层层叠结构，另一种是铜层和钼铌合金底层的两层层叠结构。与铜单层相比，钼铌合金单层的蚀刻速率更慢。三层本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种强化钼铌合金蚀刻的铜蚀刻液，其特征在于，按质量百分比计，铜蚀刻液主要组成为：过氧化氢5％～20％、有机酸5％～20％、有机碱3％～12％、金属保护剂0～0.25％、去离子水60％～77％；铜蚀刻液的pH值为2.1～3.6；

2.根据权利要求1所述的强化钼铌合金蚀刻的铜蚀刻液，其特征在于，所述铜蚀刻液包含3.5％以下的过氧化氢稳定剂；

3.根据权利要求1所述的强化钼铌合金蚀刻的铜蚀刻液，其特征在于，所述铜蚀刻液的pH值为2.3～3.4；

4.根据权利要求1所述的强化钼铌合金蚀刻的铜蚀刻液，其特征在于，按质量百分比计，铜蚀刻液主要组成为：过氧化氢1...

【技术特征摘要】

1.一种强化钼铌合金蚀刻的铜蚀刻液，其特征在于，按质量百分比计，铜蚀刻液主要组成为：过氧化氢5％～20％、有机酸5％～20％、有机碱3％～12％、金属保护剂0～0.25％、去离子水60％～77％；铜蚀刻液的ph值为2.1～3.6；

2.根据权利要求1所述的强化钼铌合金蚀刻的铜蚀刻液，其特征在于，所述铜蚀刻液包含3.5％以下的过氧化氢稳定剂；

3.根据权利要求1所述的强化钼铌合金蚀刻的铜蚀刻液，其特征在于，所述铜蚀刻液的ph值为2.3～3.4；

4.根据权利要求1所述的强化钼铌合金蚀刻的铜蚀刻液，其特征在于，按质量百分比计，铜蚀刻液主要组成为：过氧化氢12.5％～18％、有机酸6％～13％、有机碱5％～9％、金属保护剂0.02％～0.07％、去离子水64％～76％。

5.根据权利要求1所述的强化钼铌合金蚀刻的铜蚀刻液，其特征在于，所述有机酸为α-羟基脂肪族一元羧酸和除α-羟基脂肪族一元羧酸外的有机酸a的组合；

6.根据权利要求5所述的强化钼铌合金蚀...

【专利技术属性】
技术研发人员：李涛，章佳寅，徐杨，沈夏军，顾梦佳，任奕宇，朱龙，
申请(专利权)人：江阴江化微电子材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：