本发明专利技术涉及一种半导体装置，其具备具有基板和在所述基板上形成的电路图案的支撑部件、设置在所述支撑部件上的第一半导体元件、和与所述第一半导体元件介由粘接剂层而粘接的第二半导体元件；其中，所述支撑部件与所述第一半导体元件介由粘接剂而粘接，所述电路图案与所述第一半导体元件利用引线而电连接，所述第一半导体元件及所述引线通过所述粘接剂层而密封，所述粘接剂层是粘接片材经薄膜固化而形成的，所述粘接片材由包含(A)高分子量成分、(B1)软化点低于50℃的热固化性成分、(B2)软化点为50℃以上且100℃以下的热固化性成分、和(C)软化点为100℃以下的酚醛树脂的树脂组合物形成。
【技术实现步骤摘要】
本申请是申请日为2013年3月5日、优先权日为2012年3月8日、中国专利申请号为201380012784.3、专利技术名称为“粘接片材及半导体装置的制造方法”的分案申请。
本专利技术涉及粘接片材及由使用了粘接片材的带粘接剂层的半导体芯片构成的半导体装置的制造方法。
技术介绍
近年来，将手机、便携音频设备用的存储器封装芯片以多级层叠而成的堆栈式MCP(Multi Chip Package，多芯片封装)正在普及。并且，伴随着图像处理技术及手机等的多功能化，这种封装的高集成化、高密度化及薄型化不断发展。作为用于制造那样的半导体装置的薄膜，可列举出例如专利文献1～5中记载的粘接片材。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2001-279197号公报专利文献2：日本特开2002-222913号公报专利文献3：日本专利第3913481号公报专利文献4：日本特开2002-220576号公报专利文献5：日本特开2004-072009号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的课题近年来，随着半导体晶片的薄膜化及布线的微细化等的发展，能够实现具备高可靠性的半导体装置那样的粘接薄膜的开发要求增高。特别是为了提高拾取工序时的操作性要求为低粘性，为了在芯片粘接工序时确保粘接剂向基板或半导体芯片的凹凸部、引线中的埋入性要求为低粘度。可是，当使用低粘度的粘接薄膜来制造半导体装置时，为了抑制引线接合时的发泡而对粘接剂施加热的后固化工序成为必须。使用了低粘度的粘接薄膜的半导体装置一般可以通过以下那样的方法来进行制造。首先，在半导体晶片上贴附粘接片材后，进行切割而将半导体晶片单片化。接着，将所得到的半导体芯片从粘接片材剥离(拾取工序)并介由粘接剂压接到基板等上(芯片粘接工序)。接着，进行上述的后固化(薄膜固化工序)，然后将半导体芯片通过引线接合连接到基板上。进而根据需要反复进行边介由粘接剂粘接半导体芯片边进行层叠并将半导体芯片通过引线接合连接到基板上的工序。由此半导体芯片被多级层叠。并且，在将通过引线接合进行连接的工序全部结束后，将半导体芯片进行树脂密封。然而，就上述专利文献1～5中记载的粘接薄膜而言，仅通过芯片粘接工序的低温/低载荷下的压接安装难以将粘接剂充分埋入到基板或半导体芯片、引线中。此外，由于为低粘度的薄膜，所以产生薄膜的粘合力强且为高粘性而无法利用拾取工序拾取这样的问题、为了抑制发泡必须反复进行薄膜固化工序而工序时间非常长这样的问题。本专利技术是为了解决上述课题而完成的，目的在于提供可提高生产效率、并且埋入性及拾取性良好、能够实现具备高可靠性的半导体装置的粘接片材。用于解决课题的方法为了解决上述课题，本专利技术的一个方面的粘接片材的特征在于，其由包含(A)高分子量成分、(B1)软化点低于50℃的热固化性成分、(B2)软化点为50℃以上且100℃以下的热固化性成分、和(C)软化点为100℃以下的酚醛树脂的树脂组合物形成，并且以该树脂组合物100质量％为基准，含有11～22质量％的(A)高分子量成分、10～20质量％的(B1)软化点低于50℃的热固化性成分、10～20质量％的(B2)软化点为50℃以上且100℃以下的热固化性成分、15～30质量％的(C)软化点为100℃以下的酚醛树脂。本专利技术的一个方面的粘接片材通过特别规定粘接剂组合物中所包含的(A)、(B1)、(B2)及(C)成分和/或其含量，从而能够使这些成分彼此相辅相成地降低粘性强度和/或80℃下的熔融粘度。因而，能够赋予良好的拾取性、芯片接合性，能够提高所得到的半导体装置的可靠性。此外，若使用该粘接片材来制造半导体装置，则即使在缩短后固化时间的情况下，也能够抑制引线接合时的发泡。因而，根据本专利技术的一个方面的粘接片材，能够提高生产效率，同时提供具备高可靠性的半导体装置。此外，本专利技术的一个方面的粘接片材的粘接剂层在80℃下的熔融粘度也可以为300～3000Pa·s。这种情况下，在芯片接合工序中，对在基板等的表面形成的凹凸的凹部能够充分良好地填充粘接剂。因而，能够提高基板与半导体芯片之间的粘接性，能够进一步提高半导体装置的可靠性。本专利技术的一个方面的半导体装置的制造方法的特征在于，其是由使用了上述粘接片材的带粘接剂层的半导体芯片构成的半导体装置的制造方法，其具备以下工序：将带粘接剂层的半导体芯片压接到电路基板上，然后对粘接剂层进行110～125℃、0.5～1小时的加热的薄膜固化工序；和将带粘接剂层的半导体芯片与电路基板介由接合线在230℃以下进行电连接的引线接合工序。根据上述制造方法，与使用以往的粘接片材时相比后固化时间短，能够提高半导体装置的生产效率。专利技术效果根据本专利技术，能够提供可提高生产效率、并且埋入性及拾取性良好、能够实现具备高可靠性的半导体装置的粘接片材。附图说明图1是第1实施方式的粘接片材的概略剖面图。图2是表示第1实施方式的半导体装置的制造方法中的一个工序的剖面图。图3是表示后续于图2的工序的剖面图。图4是表示后续于图3的工序的剖面图。图5是本实施方式的半导体装置的概略剖面图。图6是本实施方式的其它半导体装置的概略剖面图。图7是本实施方式的其它半导体装置的概略剖面图。具体实施方式以下，边参照附图边对实施方式进行详细说明。另外，在以下的说明中，对相同或相当部分使用相同符号并省略重复的说明。此外，上下左右等位置关系只要没有特别说明，就基于附图所示的位置关系。此外，附图的尺寸比率并不限于图示的比率。<粘接片材>图1是第1实施方式的粘接片材的概略剖面图。如图1中所示的那样，粘接片材1具有在基材2上层叠了粘接剂层4的构成。如后述那样，设想粘接片材1在制造半导体装置时，在层压工序中，贴附在半导体晶片的电路面的背面。粘接剂层4在80℃下的熔融粘度为300～3000Pa·s，优选为500～2900Pa·s，更优选为1000～2800Pa·s，进一步优选为1000～2000Pa·s，最优选为1000～1500Pa·s。熔融粘度例如可以使用旋转式粘弹性测定装置进行测定。粘接剂层4的粘性强度在30℃下优选为0～1000gf，更优选为0～500gf。将粘性强度设为通过探针法测定的值。具体而言，将粘接片材的粘接剂层用双面胶带粘贴到平行的玻璃板上，将基材薄膜从粘接片材上剥离。然后，放置到30℃的热板上，将探针在下述条件下对粘接剂层的表面进行按压，测定将探针从粘接剂层拉离时的强度，将其值作为粘性强度。另外，粘性强度在测试速度：5mm/分钟、初始载荷(前负荷)：100gf/cm2、加压时间：1.0秒的条件下进行测定。若粘接剂层4的粘性强度超过500gf，则存在所得到的粘接剂层的室温下的表面的粘合性变高、处理性变差的倾向。粘接剂层4的厚度优选为5～150μm，更优选为20～60μm。若该厚度低于5μm，则存在应力缓和效果、粘接性变得不足的倾向，若超过150μm则变得不经济。粘接剂层4由包含(A)高分子量成分、(B1)软化点低于50℃的热固化性成分、(B2)软化点为50℃以上且100℃以下的热固化性成分和(C)软化点为100℃以下的酚醛树脂的树脂组合物形成。以下，对树脂组合物的各成分的具体例子及各成分的含量进行叙述。(A)高分子量成分作为(A)高分子量成分(以下简记为“(A)成分”)，是具本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种半导体装置，其特征在于，其具备具有基板和在所述基板上形成的电路图案的支撑部件、设置在所述支撑部件上的第一半导体元件、和与所述第一半导体元件介由粘接剂层而粘接的第二半导体元件；其中，所述支撑部件与所述第一半导体元件介由粘接剂而粘接，所述电路图案与所述第一半导体元件利用引线而电连接，所述第一半导体元件及所述引线通过所述粘接剂层而密封，所述粘接剂层是粘接片材经薄膜固化而形成的，所述粘接片材由包含(A)高分子量成分、(B1)软化点低于50℃的热固化性成分、(B2)软化点为50℃以上且100℃以下的热固化性成分、和(C)软化点为100℃以下的酚醛树脂的树脂组合物形成，并且以该树脂组合物100质量％为基准，含有11～22质量％的所述(A)高分子量成分、10～20质量％的所述(B1)软化点低于50℃的热固化性成分、10～20质量％的所述(B2)软化点为50℃以上且100℃以下的热固化性成分、15～30质量％的所述(C)软化点为100℃以下的酚醛树脂。
【技术特征摘要】
2012.03.08 JP 2012-052156;2012.12.28 JP 2012-288111.一种半导体装置，其特征在于，其具备具有基板和在所述基板上形成的电路图案的支撑部件、设置在所述支撑部件上的第一半导体元件、和与所述第一半导体元件介由粘接剂层而粘接的第二半导体元件；其中，所述支撑部件与所述第一半导体元件介由粘接剂而粘接，所述电路图案与所述第一半导体元件利用引线而电连接，所述第一半导体元件及所述引线通过所述粘接...
【专利技术属性】
技术研发人员：小玉惠，德安孝宽，岩仓哲郎，
申请(专利权)人：日立化成株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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