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本发明公开了将多晶硅片上不同缺陷类型分成团聚状缺陷和线状缺陷二种类型；所述团聚状缺陷是：数量级在103‑109位错缺陷体团聚到一定二维区域内，形成形状不固定的二维缺陷；所述线状缺陷是：数量级在103‑109位错缺陷体团聚到一定一维区域内，形...
该专利属于韩华新能源（启东）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过韩华新能源（启东）有限公司授权不得商用。

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