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本发明公开了一种用于硅片刻蚀的方法。所述方法包括：（a）去除所述硅片的所述边缘和所述下表面处的磷硅玻璃；（b）对所述硅片的边缘和下表面进行刻蚀，以去除所述硅片上的PN结；（c）去除所述硅片的所述上表面的所述磷硅玻璃。所述方法有效地解决硅片刻...该专利属于北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司授权不得商用。